VOL617A-4T
Vishay Semiconductors · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 LSOP-4 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录ACPL-214-560E
Broadcom / Avago · 封装：SOIC-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3000 Vrms，采用 SOIC-4 封装。PS2581AL1-A
Renesas Electronics · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。TCLT1007
Vishay Semiconductors · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SOP-4 封装。PS2561L-1-H-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。CNY75GA
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 90 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 封装。PS2561AL-1-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。4N28TVM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 PDIP-6 封装。TCLT1006
Vishay Semiconductors · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SOP-4 封装。4N25-X001
Vishay · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 封装。4N36-X009T
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。CNY17G-1
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 32 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 PDIP-6 封装。VOS617A-8X001T
Vishay Semiconductors · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SSOP-4 封装。4N38SM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 SMD-6 封装。4N35-X009
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。MOC211R2VM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-Narrow-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOIC-Narrow-8 封装。VO610A-3X016
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 DIP-4 封装。H11AA1VM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 7500 Vrms，采用 PDIP-6 封装。TCLT1106
Vishay Semiconductors · 封装：SOP-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SOP-5 封装。TCLT1005
Vishay Semiconductors · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SOP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。