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隔离与光耦

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CNY17-2X016

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-6

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-6 封装。

SFH690CT

Vishay Semiconductors · 封装:SOP-4

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 50 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3750 Vrms,采用 SOP-4 封装。

CNY17-2X019

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-6 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

VOM618A-4T

Vishay Semiconductors · 封装:SOP-4 Mini-Flat

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 5 mA、最大集电极-发射极电压 80 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3750 Vrms,采用 SOP-4 Mini-Flat 封装。

CNY17-1X007T

Vishay Semiconductors · 封装:SMD-6

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 SMD-6 封装。

VOM618A-2T

Vishay Semiconductors · 封装:SOP-4 Mini-Flat

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 5 mA、最大集电极-发射极电压 80 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3750 Vrms,采用 SOP-4 Mini-Flat 封装。

CNY17-3X006

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-6

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-6 封装。

CNY17F-4X009T

Vishay Semiconductors · 封装:SMD-6

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 SMD-6 封装。

CNY17-2X009

Vishay Semiconductors · 封装:SMD-6

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 SMD-6 封装。

CNY17F-1X019

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-6 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

CNY17-1X009

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-6 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

CNY17F-2X017

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-6 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

SFH600-2X006

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-6

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-6 封装。

CNY17F-4X017

Vishay Semiconductors · 封装:SMD-6

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms,采用 SMD-6 封装。

CNY17F-2X009

Vishay Semiconductors · 封装:SMD-6

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 SMD-6 封装。

VOM618A-7T

Vishay Semiconductors · 封装:SOP-4 Mini-Flat

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 5 mA、最大集电极-发射极电压 80 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3750 Vrms,采用 SOP-4 Mini-Flat 封装。

CNY17-1X017

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-6 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

SFH600-2X001

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-6

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 PDIP-6 封装。

MOC8102-X006

Vishay Semiconductors · 封装:DIP-6

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5300 Vrms,采用 DIP-6 封装。

CNY17F-3X017

Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-6 Gull Wing

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

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