SFH615A-3
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 DIP-4 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录TLP291(GB-TP,SE
Toshiba
该型号为晶体管。HCPL-181-06DE
Broadcom / Avago · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SMD-4 封装。TCLT1103
Vishay Semiconductors · 封装：SOP-5
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SOP-5 封装。FODM8801B
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：Miniflat-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 75 V、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 Miniflat-4 封装。LTV-846S
Lite-On · 封装：PDIP-16 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-16 Gull Wing 封装。LTV-217-C-G
Lite-On · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SSOP-4 封装。LTV-847S
Lite-On · 封装：PDIP-16 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-16 Gull Wing 封装。LTV-355T
Lite-On · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 80 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SMD-4 封装。LTV-824
Lite-On · 封装：PDIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 封装。LTV-356T
Lite-On · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SMD-4 封装。LTV-357T
Lite-On · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SMD-4 封装。LTV-817S-TA1
Lite-On · 封装：PDIP-4 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 Gull Wing 封装。SFH6916
Vishay Semiconductors · 封装：SOP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-16 封装。SFH617A-2X006
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-4 封装。TLP293(GR-TPL,E
Toshiba · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-4 封装。PS2833-4-A
Renesas Electronics · 封装：SOP
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 350 V、最大集电极电流 60 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOP 封装。HCPL-354-00AE
Broadcom / Avago · 封装：SO-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SO-4 封装。TLP182(BL-TPL,E
Toshiba · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOP-4 封装。HCPL-817-00AE
Broadcom / Avago · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 35 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。