H11D1
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 DIP-6 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录ACPL-247-560E
Broadcom / Avago · 封装：SO-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 3000 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SO-16 封装。ACPL-847-300E
Broadcom / Avago · 封装：PDIP-16 Gull Wing
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-16 Gull Wing 封装。PS2911-1-AX
Renesas Electronics · 封装：Miniflat-41
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 1 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 40 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 Miniflat-41 封装。TLP290-4(GB-TP,E)
Toshiba · 封装：SO-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 2500 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SO-16 封装。TLP292-4(GB-TP,E
Toshiba
该型号为晶体管。TLP293-4(GB,E
Toshiba · 封装：SO-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SO-16 封装。PS2802-1-F3-A
Renesas Electronics · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 90 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-4 封装。SFH619A
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 125 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-4 封装。TLP291-4(TP,E)
Toshiba · 封装：SO-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SO-16 封装。ACPL-227-50BE
Broadcom / Avago · 封装：SO-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 3000 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SO-8 封装。VO618A-3X017T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SMD-4 封装。ACPL-227-500E
Broadcom / Avago · 封装：SO-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 3000 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SO-8 封装。PS2706-1-F3-A
Renesas Electronics · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 200 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-4 封装。PS2811-1-F3-A
Renesas Electronics · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 40 mA、隔离电压 2500 Vrms，采用 SSOP-4 封装。PS2703-1-F3-A
Renesas Electronics · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 120 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-4 封装。CNY17F-3X007T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-6 封装。VOS617A-3X001T
Vishay Semiconductors · 封装：SSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SSOP-4 封装。PS2701-1-F3-L-A
Renesas Electronics · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 5 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOP-4 封装。CNY65ST
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 32 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 13900 Vrms，采用 DIP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。