TLP292(GB-TPL,E
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.001764 oz。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录ACPL-217-50BE
Broadcom / Avago · 封装：SOIC-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3000 Vrms，采用 SOIC-4 封装。ACPL-217-50AE
Broadcom / Avago · 封装：SOIC-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3000 Vrms，采用 SOIC-4 封装。ACPL-217-50CE
Broadcom / Avago · 封装：SOIC-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3000 Vrms，采用 SOIC-4 封装。TLP183(BL-TPL,E
Toshiba · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOP-4 封装。CNY17F-3
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-6 封装。HCPL-181-00AE
Broadcom / Avago · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SMD-4 封装。PS2501-1-A
Renesas Electronics · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 80 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。HCPL-181-000E
Broadcom / Avago · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 200 uA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SMD-4 封装。4N36
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-6 封装。4N35
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 100 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-6 封装。TLP785(GB,F)
Toshiba · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 16 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 10 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。TLP185(GB-TPR,SE
Toshiba
该型号为晶体管。TLP290(GB-TP,SE
Toshiba
该型号为晶体管。ILQ2
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 400 mA、隔离电压 5300 Vrms，采用 PDIP-16 封装。CNY65B
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 32 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 8200 Vrms，采用 DIP-4 封装。CNY65
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 32 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 8200 Vrms，采用 DIP-4 封装。TCMT4106
Vishay Semiconductors · 封装：SSOP-16
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SSOP-16 封装。ILD256T
Vishay Semiconductors · 封装：SOIC-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、隔离电压 4000 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOIC-8 封装。IL755-1
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-6
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 60 mA、最大集电极－发射极电压 60 V、隔离电压 5300 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 DIP-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。