TLP388(D4GB-TR,E
Toshiba · 封装：SO6-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 350 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SO6-4 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录TLP388(TPL,E
Toshiba · 封装：SO6-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 350 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SO6-4 封装。TLP388(D4-TPR,E
Toshiba · 封装：SO6-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 350 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SO6-4 封装。TLP388(GB-TPR,E
Toshiba · 封装：SO6-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 350 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SO6-4 封装。TLP383(D4GB-TL,E
Toshiba · 封装：SO-6-4
该型号为晶体管，采用 SO-6-4 封装。FODM1009R2
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 LSOP-4 封装。FODM1008
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 LSOP-4 封装。FODM1007
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：LSOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 50 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 LSOP-4 封装。TLP785(D4BH-T6,F
Toshiba · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 16 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 10 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-4 封装。FODM217BR2
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-4 封装。FODM217B
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-4 封装。HCPL2530M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：DIP-8
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Transistor、正向电流（If） 16 mA、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.45 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-8 封装。FODM217CR2
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-4 封装。FODM217A
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-4 封装。FODM217D
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms，采用 SOP-4 封装。TLP387(D4-TPR,E
Toshiba · 封装：SO-6-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SO-6-4 封装。FOD819SD
ON Semiconductor · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 1.5 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-4 封装。TLP387(D4-TPL,E
Toshiba · 封装：SO-6-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流（If） 10 mA、最大集电极－发射极电压 300 V、最大集电极电流 150 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SO-6-4 封装。FOD819S
ON Semiconductor · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 1.5 mA、最大集电极－发射极电压 40 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-4 封装。PC123X2YUP1B
Sharp Microelectronics · 封装：SMD-4
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。