D3I6282Y-4K-2
DiTom
主要参数包括原产国家或地区 美国。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
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主要参数包括原产国家或地区 美国。DiTom
主要参数包括原产国家或地区 美国。DiTom
主要参数包括原产国家或地区 美国。DiTom
主要参数包括原产国家或地区 美国。DiTom
主要参数包括原产国家或地区 美国。DiTom
主要参数包括原产国家或地区 美国。DiTom
主要参数包括原产国家或地区 美国。DiTom
主要参数包括原产国家或地区 美国。DiTom
主要参数包括原产国家或地区 美国。DiTom · 封装:0.5 in x 0.5 in x 0.7 in
主要参数包括频率 2.6~5.2 GHz、类型 Single and Dual Junction、隔离度(dB) 22 dB、额定功率 5 W、插入损耗 0.4 dB、电压驻波比(VSWR) 1.21,采用 0.5 in x 0.5 in x 0.7 in 封装。DiTom · 封装:0.5 in x 0.5 in x 0.7 in
主要参数包括频率 2.6~5.3 GHz、类型 Single and Dual Junction、隔离度(dB) 22 dB、额定功率 5 W、插入损耗 0.4 dB、电压驻波比(VSWR) 1.21,采用 0.5 in x 0.5 in x 0.7 in 封装。DiTom · 封装:0.75 in x 0.38 in x 0.75 in
主要参数包括频率 5~10.7 GHz、最小工作温度 - 30 C、最大工作温度 + 75 C、尺寸 0.75 in x 0.38 in x 0.75 in、原产国家或地区 美国、产品 Isolators,采用 0.75 in x 0.38 in x 0.75 in 封装。DiTom · 封装:0.75 in x 0.38 in x 0.75 in
主要参数包括频率 5~10.7 GHz、接口性别 Male, Female、最小工作温度 - 30 C、最大工作温度 + 75 C、尺寸 0.75 in x 0.38 in x 0.75 in、原产国家或地区 美国,采用 0.75 in x 0.38 in x 0.75 in 封装。DiTom · 封装:0.75 in x 0.38 in x 0.75 in
主要参数包括频率 5~10.7 GHz、产品 Isolators、原产国家或地区 美国、尺寸 0.75 in x 0.38 in x 0.75 in、接口性别 Female, Male、最大工作温度 + 75 C,采用 0.75 in x 0.38 in x 0.75 in 封装。DiTom · 封装:0.75 in x 0.38 in x 0.75 in
主要参数包括频率 5~10.7 GHz、接口性别 Male, Male、最小工作温度 - 30 C、最大工作温度 + 75 C、尺寸 0.75 in x 0.38 in x 0.75 in、原产国家或地区 美国,采用 0.75 in x 0.38 in x 0.75 in 封装。DiTom · 封装:0.5 in x 0.38 in x 0.58 in
主要参数包括频率 6~18 GHz、类型 Single and Dual Junction、隔离度(dB) 14 dB、额定功率 20 W、插入损耗 1 dB、电压驻波比(VSWR) 1.51,采用 0.5 in x 0.38 in x 0.58 in 封装。DiTom · 封装:0.5 in x 0.38 in x 0.58 in
主要参数包括频率 6~18 GHz、类型 Single and Dual Junction、隔离度(dB) 14 dB、额定功率 20 W、插入损耗 1 dB、电压驻波比(VSWR) 1.51,采用 0.5 in x 0.38 in x 0.58 in 封装。DiTom · 封装:0.5 in x 0.38 in x 0.58 in
主要参数包括频率 6~18 GHz、类型 Single and Dual Junction、隔离度(dB) 14 dB、额定功率 20 W、插入损耗 1 dB、电压驻波比(VSWR) 1.51,采用 0.5 in x 0.38 in x 0.58 in 封装。DiTom · 封装:0.5 in x 0.38 in x 0.58 in
主要参数包括频率 6~18 GHz、类型 Single and Dual Junction、隔离度(dB) 14 dB、额定功率 20 W、插入损耗 1 dB、电压驻波比(VSWR) 1.51,采用 0.5 in x 0.38 in x 0.58 in 封装。DiTom · 封装:0.5 in x 0.5 in x 0.7 in
主要参数包括频率 10.7~14.8 GHz、类型 Single and Dual Junction、隔离度(dB) 20 dB、额定功率 10 W、插入损耗 0.3 dB、电压驻波比(VSWR) 1.21,采用 0.5 in x 0.5 in x 0.7 in 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。