TLP3906(TPR,E
Toshiba · 封装:SOIC-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo-Diode Array、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 12 mA、正向电压(Vf) 1.65 V、反向电压(Vr) 3 V,采用 SOIC-6 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Toshiba · 封装:SOIC-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo-Diode Array、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 12 mA、正向电压(Vf) 1.65 V、反向电压(Vr) 3 V,采用 SOIC-6 封装。Toshiba · 封装:MFSOP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo-Diode Array、隔离电压 2500 Vrms、正向电流(If) 20 mA、正向电压(Vf) 1.15 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 MFSOP-6 封装。Toshiba · 封装:SOIC-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo-Diode Array、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 12 mA、正向电压(Vf) 1.65 V、反向电压(Vr) 3 V,采用 SOIC-6 封装。Panasonic Industrial Devices
Photodiode Output Optocouplers Photovoltaic MOPanasonic · 封装:SMD/SMT
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 25 mA、正向电压(Vf) 1.6 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 SMD/SMT 封装。Panasonic
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 3750 Vrms、反向电压(Vr) 5 V、耗散功率(Pd) 40 mW、最大工作温度 + 105 C。Panasonic
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo-Diode Array、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 25 mA、反向电压(Vr) 5 V、耗散功率(Pd) 40 mW。Panasonic
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 25 mA、反向电压(Vr) 5 V、耗散功率(Pd) 40 mW。Toshiba · 封装:SMD-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo-Diode Array、隔离电压 2500 Vrms、正向电流(If) 25 mA、正向电压(Vf) 1.7 V、反向电压(Vr) 3 V,采用 SMD-4 封装。Advanced Photonix
主要参数包括原产国家或地区 中国。Advanced Photonix
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photocell、隔离电压 2000 Vrms、正向电流(If) 40 mA、正向电压(Vf) 2.5 V、反向电压(Vr) 4 V。Advanced Photonix
主要参数包括原产国家或地区 中国。Advanced Photonix
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photocell、上升时间 5 ms、下降时间 80 ms、隔离电压 2000 Vrms、正向电流(If) 20 mA。Advanced Photonix
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photocell、上升时间 5 ms、下降时间 10 ms、隔离电压 2000 Vrms、正向电流(If) 20 mA。Advanced Photonix
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photocell、上升时间 1.2 ms、下降时间 10 ms、隔离电压 2000 Vrms、正向电流(If) 20 mA。Advanced Photonix
主要参数包括原产国家或地区 中国。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photovoltaic、正向电压(Vf) 1.5 V、反向电压(Vr) 6 V、耗散功率(Pd) 100 MW、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photovoltaic、正向电压(Vf) 1.5 V、反向电压(Vr) 6 V、耗散功率(Pd) 100 MW、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photovoltaic、正向电压(Vf) 1.5 V、反向电压(Vr) 6 V、耗散功率(Pd) 100 MW、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。Broadcom / Avago
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。