PVI5050NSPBF
Infineon / IR · 封装：SMD-4
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 2～50 mA、正向电压（Vf） 8 V、反向电压（Vr） 6 V，采用 SMD-4 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录TLP3905(TPL,E
Toshiba · 封装：SOIC-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo-Diode Array、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 12 mA、正向电压（Vf） 1.65 V、反向电压（Vr） 3 V，采用 SOIC-6 封装。APV1122
Panasonic Industrial Devices · 封装：DIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 3 mA、正向电压（Vf） 1.5 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-6 封装。TLP3906(TPL,E
Toshiba · 封装：SOIC-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo-Diode Array、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 12 mA、正向电压（Vf） 1.65 V、反向电压（Vr） 3 V，采用 SOIC-6 封装。TLP3906(E
Toshiba · 封装：SOIC-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo-Diode Array、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 12 mA、正向电压（Vf） 1.65 V、反向电压（Vr） 3 V，采用 SOIC-6 封装。APV2121S
Panasonic Industrial Devices · 封装：SOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 3 mA、正向电压（Vf） 1.5 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SOP-4 封装。TLP591B(C,F)
Toshiba · 封装：PDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo-Diode Array、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 25 mA、正向电压（Vf） 1.7 V、反向电压（Vr） 3 V，采用 PDIP-6 封装。APV1122A
Panasonic Industrial Devices · 封装：DIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 3 mA、正向电压（Vf） 1.5 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-6 封装。TLP3905(E
Toshiba · 封装：SOIC-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo-Diode Array、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 12 mA、正向电压（Vf） 1.65 V、反向电压（Vr） 3 V，采用 SOIC-6 封装。APV2121SZ
Panasonic Industrial Devices
主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是。TLP590B(C,F)
Toshiba · 封装：PDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo-Diode Array、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 25 mA、正向电压（Vf） 1.7 V、反向电压（Vr） 3 V，采用 PDIP-6 封装。APV1122AZ
Panasonic Industrial Devices
主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。TLP190B(U,C,F)
Toshiba · 封装：MFSOP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo-Diode Array、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 25 mA、正向电压（Vf） 1.7 V、反向电压（Vr） 3 V，采用 MFSOP-6 封装。2950064
Phoenix Contact
主要参数包括反向电压（Vr） 1300 V、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 50 C、高度 75 mm、长度 75 mm、宽度 22.5 mm。PVI5013RSPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 25 mA、正向电压（Vf） 1.4 V、反向电压（Vr） 6 V，采用 SOIC-8 封装。PVI5033RPBF
Infineon Technologies · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 5 mA、正向电压（Vf） 8 V、反向电压（Vr） 6 V，采用 DIP-8 封装。APV2111VW
Panasonic Industrial Devices
主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是。350-00012
Parallax
主要参数包括单件重量 0.016000 oz。APV2121SX
Panasonic Industrial Devices
主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是。APV1122AX
Panasonic Industrial Devices
主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。