PVI5013RPBF
Infineon Technologies · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 5 mA、正向电压（Vf） 8 V、反向电压（Vr） 6 V，采用 DIP-8 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录PVI5080NPBF
Infineon Technologies · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 2～50 mA、正向电压（Vf） 8 V、反向电压（Vr） 6 V，采用 DIP-8 封装。PVI5080NSPBF
Infineon Technologies · 封装：SMD-4
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 2～50 mA、正向电压（Vf） 8 V、反向电压（Vr） 6 V，采用 SMD-4 封装。PVI5013RS-TPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 5 mA、正向电压（Vf） 8 V、反向电压（Vr） 6 V，采用 SOIC-8 封装。PVI5050NPBF
Infineon Technologies · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 2～50 mA、正向电压（Vf） 8 V、反向电压（Vr） 6 V，采用 DIP-8 封装。PVI1050NS-TPBF
Infineon / IR · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 2～50 mA、正向电压（Vf） 8 V、反向电压（Vr） 6 V，采用 SMD-8 封装。PVI1050NSPBF
Infineon Technologies · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 50 mA、正向电压（Vf） 1.4 V、反向电压（Vr） 6 V，采用 SMD-8 封装。VO1263AB
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 50 mA、正向电压（Vf） 1.6 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-8 封装。TLP3914(TP15,F)
Toshiba · 封装：SSOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 30 mA、正向电压（Vf） 1.45 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SSOP-4 封装。TLP3924(TP15,F)
Toshiba · 封装：SSOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo-Diode Array、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 20 mA、正向电压（Vf） 1.45 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SSOP-4 封装。APV1121S
Panasonic Industrial Devices · 封装：SOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 3 mA、正向电压（Vf） 1.5 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SOP-4 封装。PVI1050NPBF
Infineon / IR · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 50 mA、正向电压（Vf） 8 V、反向电压（Vr） 6 V，采用 DIP-8 封装。APV1121SX
Panasonic Industrial Devices · 封装：SOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 600 uA、正向电压（Vf） 1.5 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SOP-4 封装。VO1263AACTR
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 50 mA、正向电压（Vf） 1.6 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-8 封装。VO1263AAC
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 50 mA、正向电压（Vf） 1.6 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-8 封装。TLP190B(TPR,U,C,F)
Toshiba · 封装：MFSOP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo-Diode Array、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 25 mA、正向电压（Vf） 1.7 V、反向电压（Vr） 3 V，采用 MFSOP-6 封装。APV1121SZ
Panasonic Industrial Devices · 封装：SOP-4
主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是，采用 SOP-4 封装。PVI5033RSPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 25 mA、正向电压（Vf） 1.4 V、反向电压（Vr） 6 V，采用 SOIC-8 封装。PVI5033RS-TPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 5 mA、正向电压（Vf） 8 V、反向电压（Vr） 6 V，采用 SOIC-8 封装。APV2111V
Panasonic Industrial Devices · 封装：SSOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 3 mA、正向电压（Vf） 1.5 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SSOP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。