MP18831-A4BGSE-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
Optically Isolated Gate Drivers Isolated Dual-Input Control High-Side/Low-Side Half-Bridge Gate Driver隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录MP18831-A4CGSE-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
Optically Isolated Gate Drivers Isolated Dual-Input Control High-Side/Low-Side Half-Bridge Gate DriverMP18831-A4CGY-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.8 V、输出电流 4 A、技术 Capacitive Coupling、类型 High-Side/Low-Side Half-Bridge Gate Driver，采用 SOIC 封装。MP18851-A4BGSE-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：LGA-13
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.8 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、输入电压（最大值） 5.5 V、工作电源电流 2.8 A，采用 LGA-13 封装。MP18851-A4BGSE-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.8 V、输出电流 4 A、类型 Independent Dual-Channel Gate Driver、隔离电压 1.5 kV rms，采用 SOIC-16 封装。MP18851-A4BGY-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.8 V、输出电流 4 A、类型 Independent Dual-Channel Gate Driver、隔离电压 5 kV rms，采用 SOIC-16 封装。MP18851-A4BGY-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.8 V、输出电流 4 A、类型 Independent Dual-Channel Gate Driver、隔离电压 5 kV rms，采用 SOIC-16 封装。MP18851-A4CGSE-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.8 V、输出电流 4 A、类型 Independent Dual-Channel Gate Driver、隔离电压 1.5 kV rms，采用 SOIC-16 封装。MP18851-A4CGSE-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：LGA-13
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、输入电压（最大值） 5.5 V、工作电源电流 2.8 mA，采用 LGA-13 封装。UCC23513BQDWYRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-6
主要参数包括电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 15 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-6 封装。UCC23513BQDWYQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 15 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。MP18851-A4CGY-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.8 V、输出电流 4 A、类型 Independent Dual-Channel Gate Driver、隔离电压 5 kV rms，采用 SOIC-16 封装。MP18851-A4CGY-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.8 V、输出电流 4 A、类型 Independent Dual-Channel Gate Driver、隔离电压 5 kV rms，采用 SOIC-16 封装。APS1241S
Panasonic
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 25 mA、反向电压（Vr） 5 V、耗散功率（Pd） 40 mW。APS2241S
Panasonic
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 25 mA、反向电压（Vr） 5 V、耗散功率（Pd） 40 mW。TLP3440S(TP,E
Toshiba · 封装：SMD-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 500 Vrms、正向电流（If） 30 mA、正向电压（Vf） 1.22 V、反向电压（Vr） 6 V，采用 SMD-4 封装。VOM1271T
Vishay Semiconductors · 封装：SOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 4500 Vrms、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 100 C，采用 SOP-4 封装。APV2111VY
Panasonic Industrial Devices
主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是。TLP3902(TPR,U,F)
Toshiba · 封装：MFSOP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photovoltaic、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 50 mA、正向电压（Vf） 1.3 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 MFSOP-6 封装。TLP191B(U,C,F
Toshiba · 封装：SMD-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo-Diode Array、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 25 mA、正向电压（Vf） 1.7 V、反向电压（Vr） 3 V，采用 SMD-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。