TLP3111(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 20 mA、正向电压（Vf） 1.2 V、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 85 C。隔离与光耦
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
14,738 条型号记录TLP3123(D4,TP,F
Toshiba · 封装：SOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.33 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SOP-4 封装。TLP3130(TP,F)
Toshiba · 封装：SOP-4
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 85 C、高度 2.1 mm、长度 4.4 mm、宽度 3.9 mm，采用 SOP-4 封装。TLP3119(TP,F)
Toshiba · 封装：SOP-4
主要参数包括高度 1.9 mm、长度 3.9 mm、宽度 4.4 mm，采用 SOP-4 封装。TLP3125(TP,F)
Toshiba · 封装：SOP-8
主要参数包括高度 1.9 mm、长度 9.4 mm、宽度 4.4 mm，采用 SOP-8 封装。HSSR-7110#100
Broadcom / Avago · 封装：SMD DIP-8
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 2.92 mm、长度 9.91 mm、宽度 7.57 mm，采用 SMD DIP-8 封装。HSSR-7110#200
Broadcom / Avago · 封装：DIP-8
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 4.32 mm、长度 9.91 mm、宽度 7.57 mm，采用 DIP-8 封装。H11F3SM
onsemi · 封装：SMD-6 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 16 mA、正向电压（Vf） 1.75 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-6 Gull Wing 封装。H11F3SR2M
onsemi · 封装：SMD-6 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 16 mA、正向电压（Vf） 1.75 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-6 Gull Wing 封装。H11F3SR2VM
onsemi · 封装：SMD-6 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 16 mA、正向电压（Vf） 1.75 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-6 Gull Wing 封装。H11F3SVM
onsemi · 封装：SMD-6 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 16 mA、正向电压（Vf） 1.75 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-6 Gull Wing 封装。H11F3VM
onsemi · 封装：PDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 16 mA、正向电压（Vf） 1.75 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 PDIP-6 封装。LTV-155E
LITEON · 封装：SOIC-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 800 mA、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 25 mA、正向电压（Vf） 1.37 V、最小工作温度 - 30 C，采用 SOIC-6 封装。TLP170AM(TPL,E
Toshiba · 封装：S06-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.27 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 S06-4 封装。TLP170AM(V4TPL,E
Toshiba · 封装：SOIC-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 700 mA、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.27 V，采用 SOIC-6 封装。TLP170GM(TPL,E
Toshiba · 封装：SO6-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.27 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SO6-4 封装。TLP170GM(V4TPL,E
Toshiba · 封装：SOIC-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 110 mA、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.27 V，采用 SOIC-6 封装。TLP294-4(V4-TP,E
Toshiba
MOSFET Output Optocouplers Transistor optocoupler; 4-ch; AC input; SMT; VDETLP294-4(E
Toshiba
MOSFET Output Optocouplers Transistor optocoupler; 4-ch; AC input; SMTTLP294-4(V4,E
Toshiba
MOSFET Output Optocouplers Transistor optocoupler; 4-ch; AC input; SMT; VDE型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。