LTV-155E
Lite-On
MOSFET Output Optocouplers SOP-5 IGBT Driver Output隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录TLP3549(TP1,F
Toshiba · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 30 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-8 封装。TLP3547(TP1,F
Toshiba · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 30 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-8 封装。TLP3825(TP5,F
Toshiba · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-8 封装。TLP3823(TP5,F
Toshiba · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-8 封装。TLP3115(F)
Toshiba · 封装：SOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 30 mA、正向电压（Vf） 1.3 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SOP-4 封装。TLP3114(F)
Toshiba · 封装：SOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 30 mA、正向电压（Vf） 1.3 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SOP-4 封装。TLP3116(TP,F)
Toshiba · 封装：SOP-4
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 85 C、高度 2.1 mm、长度 4.4 mm、宽度 3.9 mm，采用 SOP-4 封装。TLP3215(TP15,F)
Toshiba · 封装：SSOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 PhotoMOSFET output, 1-form-a、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 30 mA、正向电压（Vf） 1.3 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SSOP-4 封装。TLP170A(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms、单件重量 0.003527 oz。TLP3120(TP,F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms。TLP170A(TP,F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms。TLP220D(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5000 Vrms。TLP227GA-2(F)
Toshiba · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 7.5 mA、正向电压（Vf） 1.3 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-8 封装。TLP3100(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms。HSSR-711E
Broadcom / Avago · 封装：DIP-8
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 4.32 mm、长度 9.91 mm、宽度 7.57 mm，采用 DIP-8 封装。TLP3231(TP15,F)
Toshiba · 封装：SSOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 PhotoMOSFET output, 1-form-a、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.8 mm、长度 3.8 mm，采用 SSOP-4 封装。TLP3121(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms。TLP227A(F)
Toshiba · 封装：DIP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 7.5 mA、正向电压（Vf） 1.3 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-4 封装。TLP176GA(F)
Toshiba · 封装：SOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 120 mA、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。