TLP3544(LF1,F)
Toshiba · 封装：DIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.33 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-6 封装。隔离与光耦
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
14,738 条型号记录TLP197A(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms。TLP199D(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms。TLP3554(LF1,F)
Toshiba · 封装：DIP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.33 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-4 封装。TLP240G(LF1,F
Toshiba · 封装：SMD-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.27 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-4 封装。TLP224GA(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms。TLP209D(TP,F)
Toshiba
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 2 mm、长度 9.4 mm、宽度 4.4 mm。TLP197D(F)
Toshiba · 封装：SOP-6
采用 SOP-6 封装。TLP209D(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms。5962-9314001HPC
Broadcom / Avago · 封装：SMD-DIP-8
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 4.32 mm、长度 9.91 mm、宽度 7.57 mm，采用 SMD-DIP-8 封装。HSSR-7112-600
Broadcom / Avago · 封装：SMD-DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms，采用 SMD-DIP-8 封装。5962-9314002HPC
Broadcom / Avago · 封装：SMD-DIP-8
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 4.32 mm、长度 9.91 mm、宽度 7.57 mm，采用 SMD-DIP-8 封装。HSSR-7112-100
Broadcom / Avago · 封装：SMD-DIP-8
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 4.32 mm、长度 9.91 mm、宽度 7.57 mm，采用 SMD-DIP-8 封装。5962-9314001HYC
Broadcom / Avago · 封装：SMD-DIP-8
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 4.32 mm、长度 9.91 mm、宽度 7.57 mm，采用 SMD-DIP-8 封装。5962-9314002HYA
Broadcom / Avago · 封装：SMD-DIP-8
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 4.32 mm、长度 9.91 mm、宽度 7.57 mm，采用 SMD-DIP-8 封装。TLP3544(TP1,F)
Toshiba · 封装：DIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.33 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-6 封装。TLP3556(TP1,F)
Toshiba · 封装：DIP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 30 mA、正向电压（Vf） 1.33 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-4 封装。TLP4227G-2(F)
Toshiba · 封装：PDIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 5 mA、正向电压（Vf） 1.3 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 PDIP-8 封装。FOD8320V
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-5
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.8 V、反向电压（Vr） 5 V、耗散功率（Pd） 500 mW (1/2 W)，采用 SOP-5 封装。TLP3555(TP1,F)
Toshiba · 封装：DIP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 2 A、正向电压（Vf） 1.33 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。