TLP3230(TP15,F)
Toshiba · 封装：SSOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 PhotoMOSFET output, 1-form-a、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.8 mm、长度 3.8 mm，采用 SSOP-4 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录TLP592G(F)
Toshiba · 封装：PDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、高度 3.65 mm、长度 7.12 mm、宽度 6.4 mm，采用 PDIP-6 封装。5962-9314001HYA
Broadcom / Avago · 封装：SMD-DIP-8
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 4.32 mm、长度 9.91 mm、宽度 7.57 mm，采用 SMD-DIP-8 封装。TLP3554(TP1,F)
Toshiba · 封装：DIP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.33 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-4 封装。TLP4597G(F)
Toshiba · 封装：DIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.3 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-6 封装。HSSR-7112-200
Broadcom / Avago · 封装：DIP-8
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 4.32 mm、长度 9.91 mm、宽度 7.57 mm，采用 DIP-8 封装。TLP206GA(TP,F)
Toshiba · 封装：SOP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 7.5 mA、正向电压（Vf） 1.15 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SOP-8 封装。TLP192G(F)
Toshiba · 封装：SOP-6
主要参数包括高度 2 mm、长度 6.3 mm、宽度 4.4 mm，采用 SOP-6 封装。TLP4026G(TP,F)
Toshiba
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.9 mm、长度 9.4 mm、宽度 4.4 mm。TLP240G(F
Toshiba · 封装：DIP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.27 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-4 封装。TLP240A(LF1,F
Toshiba · 封装：SMD-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.27 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-4 封装。TLP3825(LF1,F
Toshiba · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-8 封装。TLP240GA(LF1,F
Toshiba · 封装：SMD-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.27 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-4 封装。TLP3825F(LF4,F
Toshiba · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-8 封装。TLP3823(LF5,F
Toshiba · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-8 封装。TLP3825(LF5,F
Toshiba · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-8 封装。TLP3823(LF1,F
Toshiba · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-8 封装。TLP3823F(LF4,F
Toshiba · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-8 封装。TLP204GA(F)
Toshiba · 封装：SOP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms，采用 SOP-8 封装。TLP204G(F)
Toshiba · 封装：SOP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms，采用 SOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。