TLP3123(TP,F)
Toshiba · 封装：SOP-4
主要参数包括高度 1.9 mm、长度 3.9 mm、宽度 4.4 mm，采用 SOP-4 封装。隔离与光耦
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
14,738 条型号记录TLP3546A(TP1,F
Toshiba · 封装：SMD-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-6 封装。FOD8320
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-5
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 2.5 A、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.8 V、耗散功率（Pd） 500 mW (1/2 W)，采用 SOP-5 封装。TLP176A(F)
Toshiba · 封装：SOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.3 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SOP-4 封装。TLP3825(TP1,F
Toshiba · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-8 封装。ASSR-601JV-500E
Broadcom · 封装：SOIC-16
主要参数包括输出类型 MOSFET、耗散功率（Pd） 1 W、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、输入电流 30 mA、产品 SSR - Solid State Relays，采用 SOIC-16 封装。TLP3107(TP,F
Toshiba · 封装：SOP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.33 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SOP-6 封装。TLP3558A(TP1,F
Toshiba · 封装：SMD-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-4 封装。TLP3250(TP15,F)
Toshiba · 封装：SSOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 PhotoMOSFET output, 1-form-a、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.8 mm、长度 3.8 mm，采用 SSOP-4 封装。TLP3553A(F
Toshiba · 封装：DIP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 4 A、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V，采用 DIP-4 封装。TLP3555A(F
Toshiba · 封装：DIP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 3 A、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V，采用 DIP-4 封装。TLP3546A(F
Toshiba · 封装：DIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-6 封装。TLP3556A(F
Toshiba · 封装：DIP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-4 封装。5962-9314001HPA
Broadcom / Avago · 封装：SMD-DIP-8
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 4.32 mm、长度 9.91 mm、宽度 7.57 mm，采用 SMD-DIP-8 封装。FOD8321R2V
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SO-5
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.8 V、反向电压（Vr） 5 V、耗散功率（Pd） 500 mW (1/2 W)，采用 SO-5 封装。FOD8320R2V
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SO-5
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.8 V、反向电压（Vr） 5 V、耗散功率（Pd） 500 mW (1/2 W)，采用 SO-5 封装。TLP240A(TP1,F
Toshiba · 封装：SMD-4
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 10 MA、正向电压（Vf） 1.27 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-4 封装。FOD8320R2
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-5
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.8 V、反向电压（Vr） 5 V、耗散功率（Pd） 500 mW (1/2 W)，采用 SOP-5 封装。TLP3241(TP15,F)
Toshiba · 封装：SSOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 PhotoMOSFET output, 1-form-a、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.8 mm、长度 3.8 mm，采用 SSOP-4 封装。ASSR-601JT-500E
Broadcom · 封装：SOIC-16
主要参数包括输出类型 MOSFET、耗散功率（Pd） 1 W、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、输入电流 30 mA、产品 SSR - Solid State Relays，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。