H11F3SR2VM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo FET、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 16 mA、正向电压（Vf） 1.75 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-DIP-6 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录TLP3546(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms。TLP170G(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms。TLP3544(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms。TLP3554(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.33 V、反向电压（Vr） 5 V。TLP3823(F
Toshiba · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-8 封装。TLP3543(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms。TLP197G(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms。TLP240J(LF1,F
Toshiba · 封装：DIP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 7.5 mA、正向电压（Vf） 1.27 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-4 封装。TLP3823F(F
Toshiba · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-8 封装。HSSR-7111
Broadcom / Avago · 封装：DIP-8
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 4.32 mm、长度 9.91 mm、宽度 7.57 mm，采用 DIP-8 封装。HSSR-7112
Broadcom / Avago · 封装：DIP-8
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 4.32 mm、长度 9.91 mm、宽度 7.57 mm，采用 DIP-8 封装。HSSR-7110#300
Broadcom / Avago · 封装：SMD DIP-8
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 2.92 mm、长度 9.91 mm、宽度 7.57 mm，采用 SMD DIP-8 封装。TLP3122(F)
Toshiba · 封装：SOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.3 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SOP-4 封装。HSSR-7110
Broadcom / Avago · 封装：DIP-8
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 4.32 mm、长度 9.91 mm、宽度 7.57 mm，采用 DIP-8 封装。TLP3555A(TP1,F
Toshiba · 封装：SMD-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 3 A、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V，采用 SMD-4 封装。TLP3556A(TP1,F
Toshiba · 封装：SMD-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-4 封装。TLP3125(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms。TLP3553A(TP1,F
Toshiba · 封装：SMD-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 4 A、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V，采用 SMD-4 封装。TLP176GA(TP,F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。