5962-9314001HXA
Broadcom / Avago · 封装：SMD-DIP-8
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 4.32 mm、长度 9.91 mm、宽度 7.57 mm，采用 SMD-DIP-8 封装。隔离与光耦
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
14,738 条型号记录TLP592A(F)
Toshiba · 封装：PDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 7.5 mA、正向电压（Vf） 1.3 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 PDIP-6 封装。TLP4176G(F)
Toshiba · 封装：SOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 25 mA、正向电压（Vf） 1.3 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SOP-4 封装。FOD3180SD
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Push-Pull、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 25 mA、正向电压（Vf） 1.43 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-8 封装。TLP179D(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms、单件重量 0.003527 oz。H11F3SM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo FET、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 16 mA、正向电压（Vf） 1.75 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-DIP-6 封装。TLP240J(F
Toshiba · 封装：DIP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 7.5 mA、正向电压（Vf） 1.27 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-4 封装。TLP797J(F)
Toshiba · 封装：PDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 7.5 mA、正向电压（Vf） 1.3 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 PDIP-6 封装。FOD3180SV
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Push-Pull、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 25 mA、正向电压（Vf） 1.43 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-8 封装。TLP4006G(F)
Toshiba · 封装：PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 3.65 mm，采用 PDIP-8 封装。FOD3180TSV
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Push-Pull、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 25 mA、正向电压（Vf） 1.43 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 PDIP-8 封装。TLP3558A(F
Toshiba · 封装：DIP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-4 封装。FOD3150TSR2V
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5000 Vrms、单件重量 0.028889 oz。TLP3107(F
Toshiba · 封装：SOP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.33 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SOP-6 封装。FOD3150TSV
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5000 Vrms、单件重量 0.028889 oz。H11F3SVM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo FET、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 16 mA、正向电压（Vf） 1.75 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-DIP-6 封装。TLP192A(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms。TLP597G(F)
Toshiba · 封装：DIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 7.5 mA、正向电压（Vf） 1.3 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-6 封装。TLP4227G(F)
Toshiba · 封装：PDIP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 5 mA、正向电压（Vf） 1.3 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 PDIP-4 封装。TLP597A(F)
Toshiba · 封装：PDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 7.5 mA、正向电压（Vf） 1.3 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 PDIP-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。