FOD3180SDV
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Push-Pull、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 25 mA、正向电压（Vf） 1.43 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-8 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录TLP4176G(TP,F)
Toshiba · 封装：SOP-4
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 2.1 mm、长度 4.4 mm、宽度 3.9 mm，采用 SOP-4 封装。TLP206G(TP,F)
Toshiba · 封装：SOP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 7.5 mA、正向电压（Vf） 1.3 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SOP-8 封装。TLP240GA(F
Toshiba · 封装：DIP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.27 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-4 封装。TLP224G(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms。H11F3VM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo FET、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 16 mA、正向电压（Vf） 1.75 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 PDIP-6 封装。TLP4197G(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms。TLP174G(F)
Toshiba · 封装：SOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 120 mA、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOP-4 封装。FOD3180S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Push-Pull、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 25 mA、正向电压（Vf） 1.43 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-8 封装。TLP171D(F
Toshiba · 封装：SOP-4
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.27 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SOP-4 封装。TLP4206G(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms。LH1262CAC
Vishay Semiconductors
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 3.81 mm、长度 9.91 mm、宽度 6.81 mm。TLP197GA(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms、单件重量 0.004586 oz。TLP206GA(F)
Toshiba · 封装：SOP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 7.5 mA、正向电压（Vf） 1.3 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SOP-8 封装。FOD3180TV
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Push-Pull、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 25 mA、正向电压（Vf） 1.43 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 PDIP-8 封装。H11F1SM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo FET、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 16 mA、正向电压（Vf） 1.75 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-DIP-6 封装。FOD3180
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Push-Pull、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 25 mA、正向电压（Vf） 1.43 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 PDIP-8 封装。H11F1SR2M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo FET、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 16 mA、正向电压（Vf） 1.75 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-DIP-6 封装。TLP170J(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms。TLP175A(TPL,E
Toshiba · 封装：SOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 100 mA、输出类型 Photorelay MOSFET output、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 5 mA、正向电压（Vf） 1.4 V，采用 SOP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。