TLP240GA(TP1,F
Toshiba · 封装：SMD-4
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.27 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-4 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录TLP3306(TP15,F
Toshiba · 封装：USOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.15 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 USOP-4 封装。TLP3547(F
Toshiba · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 30 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-8 封装。TLP4026G(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms。TLP3555(F)
Toshiba · 封装：DIP-4
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.33 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-4 封装。TLP170J(TP,F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms。TLP170D(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms。LH1262CB
Vishay Semiconductors
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 100 C、高度 3.81 mm、长度 9.91 mm、宽度 6.81 mm。LH1262CACTR
Vishay Semiconductors
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 3.81 mm、长度 9.91 mm、宽度 6.81 mm。H11F1TVM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo FET、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 16 mA、正向电压（Vf） 1.75 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 PDIP-6 封装。H11F1VM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo FET、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 16 mA、正向电压（Vf） 1.75 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 PDIP-6 封装。HSSR-7112-300
Broadcom / Avago · 封装：SMD-DIP-8
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 4.32 mm、长度 9.91 mm、宽度 7.57 mm，采用 SMD-DIP-8 封装。5962-9314002HXA
Broadcom / Avago · 封装：SMD-DIP-8
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 4.32 mm、长度 9.91 mm、宽度 7.57 mm，采用 SMD-DIP-8 封装。5962-9314002HPA
Broadcom / Avago · 封装：SMD-DIP-8
主要参数包括输出类型 MOSFET、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C、高度 4.32 mm、长度 9.91 mm、宽度 7.57 mm，采用 SMD-DIP-8 封装。TLP197GA(TP,F)
Toshiba · 封装：SOP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms、高度 2.5 mm、长度 3.6 mm、宽度 4.4 mm，采用 SOP-6 封装。TLP3545(F)
Toshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms。H11F1M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo FET、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 16 mA、正向电压（Vf） 1.75 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 PDIP-6 封装。H11F3M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo FET、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 16 mA、正向电压（Vf） 1.75 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 PDIP-6 封装。TLP598GAF
Toshiba · 封装：PDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 7.5 mA、正向电压（Vf） 1.48 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 PDIP-6 封装。H11F3SR2M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo FET、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 16 mA、正向电压（Vf） 1.75 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-DIP-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。