TLP3825F(TP4,F
Toshiba · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-8 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录TLP240A(F
Toshiba · 封装：DIP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.27 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-4 封装。TLP3548(F
Toshiba · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-8 封装。TLP171A(F
Toshiba · 封装：SOP-4
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.27 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SOP-4 封装。TLP3549(F
Toshiba · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-8 封装。ASSR-601JV-000E
Broadcom · 封装：SOIC-16
主要参数包括输出类型 MOSFET、耗散功率（Pd） 1 W、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、输入电流 30 mA、产品 SSR - Solid State Relays，采用 SOIC-16 封装。ASSR-601JT-000E
Broadcom · 封装：SOIC-16
主要参数包括输出类型 MOSFET、耗散功率（Pd） 1 W、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、输入电流 30 mA、产品 SSR - Solid State Relays，采用 SOIC-16 封装。TLP3825(F
Toshiba · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-8 封装。TLP3543A(F
Toshiba · 封装：DIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-6 封装。TLP3341(TP15,F)
Toshiba · 封装：USOP-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.15 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 USOP-4 封装。TLP3431(TP,F
Toshiba · 封装：VSON-4
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.27 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 VSON-4 封装。TLP3543A(TP1,F
Toshiba · 封装：SMD-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-6 封装。TLP3823F(TP4,F
Toshiba · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-8 封装。TLP3545A(F
Toshiba · 封装：DIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-6 封装。TLP3823(TP1,F
Toshiba · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-8 封装。TLP3545A(TP1,F
Toshiba · 封装：SMD-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-6 封装。TLP3825F(F
Toshiba · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.64 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-8 封装。TLP3556(F)
Toshiba · 封装：DIP-4
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.33 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-4 封装。TLP240G(TP1,F
Toshiba · 封装：SMD-4
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.27 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-4 封装。TLP3553(F)
Toshiba · 封装：DIP-4
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo MOSFET、隔离电压 2500 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.33 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。