芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

14,738 条型号记录

每页 20 条

TLP5751H(TP4,E

Toshiba

Logic Output Optocouplers Gate Drive Coupler; 125C oper temp; R2R; SO6L

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TLP151A(V4-TPL,E

Toshiba

Logic Output Optocouplers Gate drive coupler; 5-pin SO6; VDE

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TLP151A(TPL,E

Toshiba

Logic Output Optocouplers Gate drive coupler; 5-pin SO6

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TLP5231(TP,E

Toshiba

Logic Output Optocouplers Smart Gate driver coupler; SO16L

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TLP5751H(D4TP4,E

Toshiba

Logic Output Optocouplers Gate Drive Coupler; 125C oper temp; R2R; SO6L; VDE

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TLP250(F)

Toshiba · 封装：DIP-8

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10～35 V、最大连续输出电流 1.5 A、输出类型 Push-Pull、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 20 mA，采用 DIP-8 封装。

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H11L1M

onsemi · 封装：PDIP-6

主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 50 mA、输出类型 Open Collector、上升时间 100 ns、下降时间 100 ns、隔离电压 4170 Vrms，采用 PDIP-6 封装。

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H11L1SM

onsemi · 封装：SMD-6

主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 50 mA、输出类型 Open Collector、类型 Buffer、上升时间 100 ns、下降时间 100 ns，采用 SMD-6 封装。

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H11L1SR2M

onsemi · 封装：SMD-6

主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 50 mA、输出类型 Open Collector、上升时间 100 ns、下降时间 100 ns、隔离电压 4170 Vrms，采用 SMD-6 封装。

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H11L1SR2VM

onsemi · 封装：SMD-6

主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 50 mA、输出类型 Open Collector、上升时间 100 ns、下降时间 100 ns、隔离电压 4170 Vrms，采用 SMD-6 封装。

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H11L1SVM

onsemi · 封装：SMD-6

主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 50 mA、输出类型 Open Collector、上升时间 100 ns、下降时间 100 ns、隔离电压 4170 Vrms，采用 SMD-6 封装。

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H11L1TVM

onsemi · 封装：PDIP-6

主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 50 mA、输出类型 Open Collector、上升时间 100 ns、下降时间 100 ns、隔离电压 4170 Vrms，采用 PDIP-6 封装。

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H11L1VM

onsemi · 封装：PDIP-6

主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 50 mA、输出类型 Open Collector、上升时间 100 ns、下降时间 100 ns、隔离电压 4170 Vrms，采用 PDIP-6 封装。

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H11L2M

onsemi · 封装：PDIP-6

主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 50 mA、输出类型 Open Collector、上升时间 100 ns、下降时间 100 ns、隔离电压 4170 Vrms，采用 PDIP-6 封装。

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H11L2SM

onsemi · 封装：SMD-6

主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 50 mA、输出类型 Open Collector、上升时间 100 ns、下降时间 100 ns、隔离电压 4170 Vrms，采用 SMD-6 封装。

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ACFL-3161-500E

Broadcom / Avago

主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 6 A、输出类型 Rail-to-Rail、上升时间 7 ns、下降时间 7 ns、隔离电压 5000 Vrms。

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ACFJ-3439T-500E

Broadcom / Avago

主要参数包括最大连续输出电流 10 A、上升时间 23 ns、下降时间 19 ns、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 11 mA、正向电压（Vf） 1.55 V。

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ACFJ-3530T-000E

Broadcom / Avago

主要参数包括上升时间 15 ns、下降时间 15 ns、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.55 V、耗散功率（Pd） 150 mW, 600 mW、最小工作温度 - 40 C。

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ACFJ-3530T-500E

Broadcom / Avago

主要参数包括上升时间 15 ns、下降时间 15 ns、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 20 mA、正向电压（Vf） 1.55 V、耗散功率（Pd） 150 mW, 600 mW。

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TLP171A(TP,F

Toshiba · 封装：SOP-4

主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 MOSFET、隔离电压 1500 Vrms、正向电流（If） 400 mA、正向电压（Vf） 1.27 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SOP-4 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。