H11L2TVM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 50 mA、输出类型 Open Collector、隔离电压 5300 Vrms、正向电流(If) 60 mA、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 PDIP-6 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 50 mA、输出类型 Open Collector、隔离电压 5300 Vrms、正向电流(If) 60 mA、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 PDIP-6 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-8 Stretched
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Push-Pull、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 16 mA、正向电压(Vf) 1.8 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 SO-8 Stretched 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-16
主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 13.6 mA、类型 Gate Drive Optocoupler、正向电流(If) 20 mA、正向电压(Vf) 1.55 V、反向电压(Vr) 6 V,采用 SO-16 封装。ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15~30 V、最大连续输出电流 3 A、输出类型 DC、类型 MOSFET/IGBT Gate Driver Optocoupler、隔离电压 5000 Vrms。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15~30 V、最大连续输出电流 3 A、输出类型 DC、类型 MOSFET/IGBT Gate Driver Optocoupler、隔离电压 5000 Vrms,采用 SMD-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:DIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 16 mA、正向电压(Vf) 1.5 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 DIP-8 Gull Wing 封装。Broadcom / Avago · 封装:DIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 16 mA、正向电压(Vf) 1.5 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 DIP-8 Gull Wing 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-6 Stretched
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Open Collector、类型 IGBT Gate Driver Optocouplers、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 12 mA、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SO-6 Stretched 封装。IXYS Integrated Circuits · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Integrated Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 20 mA、正向电压(Vf) 1.35 V,采用 SMD-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-6 Stretched
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 12 mA、正向电压(Vf) 1.5 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 SO-6 Stretched 封装。Vishay Semiconductors
主要参数包括下降时间 100 ns。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15~30 V、最大连续输出电流 3 A、输出类型 DC、类型 MOSFET/IGBT Gate Driver Optocoupler、隔离电压 5000 Vrms,采用 SMD-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMT-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15~30 V、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Push-Pull、类型 Buffer、隔离电压 5000 Vrms,采用 SMT-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 50 mA、输出类型 Open Collector、隔离电压 5300 Vrms、正向电流(If) 60 mA、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 PDIP-6 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-16
主要参数包括类型 Gate Driver Optocoupler、隔离电压 5000 Vrms、耗散功率(Pd) 580 mW、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、传播延迟(最大值) 250 ns,采用 SOIC-16 封装。Toshiba
主要参数包括正向电压(Vf) 1.55 V、下降时间 50 ns。Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Totem Pole, Buffer、类型 Photocoupler、隔离电压 5000 Vrms、正向电流(If) 25 mA、正向电压(Vf) 1.57 V,采用 SO-6 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 2 个通道、正向电压(Vf) 1.95 V、反向电压(Vr) 5 V、耗散功率(Pd) 600 mW、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C,采用 SOIC-Narrow-16 封装。Toshiba · 封装:SO-16
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Photo IC、类型 Photocoupler、隔离电压 5000 Vrms、正向电流(If) 25 mA、正向电压(Vf) 1.7 V,采用 SO-16 封装。Broadcom / Avago · 封装:DIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Open Collector、类型 IGBT Gate Driver Optocouplers、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 16 mA、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 DIP-8 Gull Wing 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。