FOD3120S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMT-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15~30 V、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Push-Pull、类型 Buffer、隔离电压 5000 Vrms,采用 SMT-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMT-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15~30 V、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Push-Pull、类型 Buffer、隔离电压 5000 Vrms,采用 SMT-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、正向电流(If) 16 mA、正向电压(Vf) 1.5 V、反向电压(Vr) 5 V、耗散功率(Pd) 250 mW、最小工作温度 - 40 C,采用 PDIP-8 封装。Toshiba · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15~30 V、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Totem Pole, Buffer、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 20 mA,采用 DIP-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 50 mA、输出类型 Schmitt Trigger、隔离电压 5300 Vrms、正向电流(If) 60 mA、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 PDIP-6 封装。Toshiba · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Push-Pull、类型 Photocoupler、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 20 mA、正向电压(Vf) 1.57 V,采用 DIP-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15~30 V、最大连续输出电流 4 A、输出类型 Open Drain、隔离电压 5000 Vrms、正向电流(If) 20 mA,采用 SO-16 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-16
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 16 mA、正向电压(Vf) 1.5 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 SO-16 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SO-6 Stretched
主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 1.5 A、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电流(If) 25 mA、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SO-6 Stretched 封装。Broadcom / Avago · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 16 mA、正向电压(Vf) 1.8 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 DIP-8 封装。Broadcom / Avago
Logic Output Optocouplers 5A Gate Drive OptocouplerIXYS Integrated Circuits · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Integrated Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 20 mA、正向电压(Vf) 1.35 V,采用 DIP-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15~30 V、最大连续输出电流 3 A、输出类型 DC、类型 MOSFET/IGBT Gate Driver Optocoupler、隔离电压 5000 Vrms,采用 SMD-8 封装。Toshiba · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15~30 V、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Totem Pole, Buffer、类型 Buffer、隔离电压 3750 Vrms,采用 SMD-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-6 Stretched
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15~30 V、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Integrated Photo IC、类型 Gate Drive Optocoupler、隔离电压 5000 Vrms,采用 SO-6 Stretched 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMT-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15~30 V、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Push-Pull、类型 Buffer、隔离电压 5000 Vrms,采用 SMT-8 封装。IXYS Integrated Circuits · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Integrated Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 20 mA、正向电压(Vf) 1.35 V,采用 SMD-8 封装。Toshiba
主要参数包括隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.57 V、下降时间 22 ns、单件重量 0.002822 oz。Broadcom / Avago · 封装:SO-6 Stretched
主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 4 A、类型 IGBT Gate Driver Optocouplers、正向电压(Vf) 1.55 V、耗散功率(Pd) 700 mW、最小工作温度 - 40 C,采用 SO-6 Stretched 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMT-8
主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 1 A、输出类型 Push-Pull、类型 Gate Driver Optocoupler、隔离电压 5000 Vrms、正向电流(If) 28 mA,采用 SMT-8 封装。Toshiba
主要参数包括正向电压(Vf) 1.6 V。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。