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隔离与光耦

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型号列表

14,738 条型号记录
每页 20 条

CPC1580PTR

IXYS Integrated Circuits · 封装:FPAK

主要参数包括下降时间 195 us、上升时间 48 us、商品名称 Clare、型号别名 V23109-S2421,采用 FPAK 封装。

TLP701H(TP,F)

Toshiba

主要参数包括正向电压(Vf) 1.55 V、下降时间 50 ns。

TLP250H(LF1,F)

Toshiba · 封装:DIP-8 SMD

主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Push-Pull、类型 Photocoupler、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 20 mA、正向电压(Vf) 1.57 V,采用 DIP-8 SMD 封装。

H11L1SVM

ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMD-6

主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Open Collector、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.2 V、反向电压(Vr) 6 V、耗散功率(Pd) 250 mW,采用 SMD-6 封装。

H11L1SR2VM

ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PDIP-6

主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 50 mA、输出类型 Schmitt Trigger、隔离电压 5300 Vrms、正向电流(If) 60 mA、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 PDIP-6 封装。

VO3120

Vishay Semiconductors · 封装:DIP-8

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15~32 V、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Integrated Photo IC、类型 IGBT、隔离电压 5300 Vrms,采用 DIP-8 封装。

FOD3120

ON Semiconductor / Fairchild · 封装:DIP-8

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15~30 V、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Push-Pull、类型 Buffer、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-8 封装。

FOD3150

ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PDIP-8

主要参数包括通道数 1 个通道、正向电流(If) 16 mA、正向电压(Vf) 1.5 V、反向电压(Vr) 5 V、耗散功率(Pd) 250 mW、最小工作温度 - 40 C,采用 PDIP-8 封装。

H11L2M

ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PDIP-6

主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 50 mA、输出类型 Schmitt Trigger、隔离电压 5300 Vrms、正向电流(If) 60 mA、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 PDIP-6 封装。

ACPL-4800-300E

Broadcom / Avago · 封装:DIP-8 Gull Wing

主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Open Collector、类型 AND Schmitt、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.7 V,采用 DIP-8 Gull Wing 封装。

TLP351(F)

Toshiba · 封装:PDIP-8

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10~30 V、最大连续输出电流 0.6 A、输出类型 Totem Pole、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 20 mA,采用 PDIP-8 封装。

HCPL-316J-500E

Broadcom / Avago · 封装:SO-16

主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Totem Pole、类型 Buffer、隔离电压 3750 Vrms、耗散功率(Pd) 1200 mW、最小工作温度 - 40 C,采用 SO-16 封装。

TLP350H(F)

Toshiba · 封装:DIP-8

主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 20 mA、正向电压(Vf) 1.6 V、耗散功率(Pd) 40 mW,采用 DIP-8 封装。

H11L1VM

ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PDIP-6

主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Open Collector、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.2 V、反向电压(Vr) 6 V、耗散功率(Pd) 250 mW,采用 PDIP-6 封装。

TLP701(F)

Toshiba · 封装:SDIP-6 Gull Wing

主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 0.6 A、输出类型 Push-Pull、类型 IGBT、隔离电压 5000 Vrms、正向电流(If) 10 mA,采用 SDIP-6 Gull Wing 封装。

FOD3120SD

ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMT-8

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15~30 V、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Push-Pull、类型 Buffer、隔离电压 5000 Vrms,采用 SMT-8 封装。

H11L2SR2M

ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMD-6

主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Open Collector、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.2 V、反向电压(Vr) 6 V、耗散功率(Pd) 250 mW,采用 SMD-6 封装。

H11L1TVM

ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PDIP-6

主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 50 mA、输出类型 Open Collector、隔离电压 5300 Vrms、正向电流(If) 60 mA、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 PDIP-6 封装。

H11L3SM

ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMD-6

主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Open Collector、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.2 V、反向电压(Vr) 6 V、耗散功率(Pd) 250 mW,采用 SMD-6 封装。

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