H11L2VM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Open Collector、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.2 V、反向电压(Vr) 6 V、耗散功率(Pd) 250 mW,采用 PDIP-6 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Open Collector、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.2 V、反向电压(Vr) 6 V、耗散功率(Pd) 250 mW,采用 PDIP-6 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMD-6
主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 50 mA、输出类型 Open Collector、隔离电压 5300 Vrms、正向电流(If) 60 mA、正向电压(Vf) 1.2 V,采用 SMD-6 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15~30 V、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Push-Pull、类型 Buffer、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15~30 V、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Push-Pull、类型 Buffer、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-8 封装。Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Totem Pole, Buffer、类型 Photocoupler、隔离电压 5000 Vrms、正向电流(If) 25 mA、正向电压(Vf) 1.57 V,采用 SO-6 封装。Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Totem Pole, Buffer、类型 Photocoupler、隔离电压 5000 Vrms、正向电流(If) 20 mA、正向电压(Vf) 1.55 V,采用 SO-6 封装。Broadcom / Avago · 封装:DIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 16 mA、正向电压(Vf) 1.5 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 DIP-8 Gull Wing 封装。Broadcom / Avago · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 15 mA、输出类型 Open Collector、类型 Intelligent Power Module Interface Optocouplers、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 20 mA,采用 DIP-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-16
主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Open Collector、类型 Gate Drive Optocoupler、隔离电压 1500 Vrms、耗散功率(Pd) 150 mW, 600 mW,采用 SO-16 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15~30 V、最大连续输出电流 3 A、输出类型 DC、类型 MOSFET/IGBT Gate Driver Optocoupler、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-8 封装。Toshiba · 封装:SDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Totem Pole、类型 IGBT or MOSFET Power、隔离电压 5000 Vrms、正向电流(If) 20 mA,采用 SDIP-6 封装。Toshiba · 封装:SDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Totem Pole、类型 IGBT or MOSFET Power、隔离电压 5000 Vrms、正向电流(If) 20 mA,采用 SDIP-6 封装。Toshiba · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10~30 V、最大连续输出电流 0.6 A、输出类型 Totem Pole、类型 IGBT、隔离电压 3750 Vrms,采用 SMD-8 封装。Toshiba · 封装:SO-16
主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 4 A、输出类型 Photo IC、类型 IGBT Gate Drive Photocoupler、隔离电压 5000 Vrms、正向电流(If) 10 mA,采用 SO-16 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Open-Collector、类型 IGBT、隔离电压 4243 Vrms,采用 SOIC-16 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SO-16
主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Rail-to-Rail、类型 IGBT Gate Driver Optocouplers、隔离电压 4243 Vrms、正向电流(If) 16 mA,采用 SO-16 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SO-16
主要参数包括通道数 1 个通道、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Rail-to-Rail、类型 IGBT Gate Driver Optocouplers、隔离电压 4243 Vrms、正向电流(If) 16 mA,采用 SO-16 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-6 Stretched
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15~30 V、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Integrated Photo IC、类型 Gate Drive Optocoupler、隔离电压 3750 Vrms,采用 SO-6 Stretched 封装。Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15~35 V、最大连续输出电流 2.5 A、输出类型 Photo IC、类型 Inverter、隔离电压 5000 Vrms,采用 SO-6 封装。Toshiba · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10~30 V、最大连续输出电流 0.6 A、输出类型 Totem Pole、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 20 mA,采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。