SI8661BB-B-IS1R
Silicon Labs · 封装:SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling,采用 SOIC-Narrow-16 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Silicon Labs · 封装:SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling,采用 SOIC-Narrow-16 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、隔离类型 Giant Magnetoresistive GMR、传播延迟时间 10 ns、工作电源电流 12 uA, 5 mA,采用 SO-8 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-Wide-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3~5.5 V、输出电流 +/- 75 mA、数据速率 10 Mb/s,采用 SOIC-Wide-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling,采用 SOIC-Narrow-16 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 5 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、隔离电压 2.5 kVrms,采用 SOIC-16 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:QSOP-20
主要参数包括通道数 6 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling、类型 General Purpose,采用 QSOP-20 封装。Analog Devices · 封装:SSOP-20
主要参数包括通道数 7 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 250 kb/s、隔离类型 Magnetic Coupling、类型 SPI,采用 SSOP-20 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 5 V、隔离类型 Magnetic Coupling、类型 iCoupler,采用 SOIC-8 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 5.5 V、输出电流 100 mA、数据速率 25 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 100 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-8 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 5.5 V、输出电流 100 mA、数据速率 1 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:QSOP-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 2 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling、隔离电压 2.5 kV,采用 QSOP-16 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 25 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。