HCPL-5530
Broadcom / Avago · 封装:CDIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 400 kb/s、输出类型 Phototransistor、正向电压(Vf) 1.55 V、正向电流(If) 20 mA,采用 CDIP-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Broadcom / Avago · 封装:CDIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 400 kb/s、输出类型 Phototransistor、正向电压(Vf) 1.55 V、正向电流(If) 20 mA,采用 CDIP-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:CDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 400 kb/s、输出类型 Phototransistor、正向电压(Vf) 1.55 V、正向电流(If) 20 mA,采用 CDIP-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 SOIC-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 15 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.75 V,采用 SOIC-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 25 mA、数据速率 8 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.3 V,采用 PDIP-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 25 mA、数据速率 40 Mb/s、输出类型 Open Collector、正向电压(Vf) 1.35 V、正向电流(If) 10 mA,采用 PDIP-8 封装。Optek / TT Electronics
主要参数包括输出电流 25 mA、数据速率 5 Mb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 50000 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V、正向电流(If) 25 mA。Lite-On · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.8 V、正向电流(If) 20 mA,采用 SOIC-8 封装。Optek / TT Electronics
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 25 mA、数据速率 2 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 16000 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V。Renesas Electronics · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 2 A、输出类型 Push-Pull、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.56 V、正向电流(If) 25 mA,采用 SOIC-8 封装。Renesas Electronics · 封装:SSOP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 25 mA、数据速率 15 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 2500 Vrms、正向电压(Vf) 1.65 V,采用 SSOP-8 封装。Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.33 V,采用 PDIP-8 封装。Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 5 V、数据速率 5 Mb/s、输出类型 Totem Pole、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.53 V,采用 SO-6 封装。Everlight · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5~5.5 V、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 2500 Vrms,采用 DIP-8 封装。Everlight · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.3 V、正向电流(If) 1.6 mA,采用 DIP-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 60 mA、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V,采用 SOIC-8 封装。Everlight · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.45 V、正向电流(If) 16 mA,采用 DIP-8 封装。Everlight · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5~5.5 V、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 2500 Vrms,采用 SMD-8 封装。Everlight
主要参数包括数据速率 10 Mb/s。Everlight · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.45 V、正向电流(If) 16 mA,采用 DIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。