HCPL-053L-000E
Broadcom / Avago · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.52 V，采用 SOIC-8 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录HCNW2601-500E
Broadcom / Avago · 封装：PDIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。HCPL2631SV
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.4 V，采用 SMD-DIP-8 封装。6N135-X017T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、正向电压（Vf） 1.33 V，采用 SMD-8 封装。6N135SVM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-8 Gull Wing 封装。6N136-X006
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、正向电压（Vf） 1.33 V，采用 PDIP-8 封装。6N135SDM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.45 V、正向电流（If） 16 mA，采用 SMD-8 封装。HCPL0501R2
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.45 V，采用 SOIC-8 Narrow 封装。HCPL-M452-000E
Broadcom / Avago · 封装：SOIC-5
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 SOIC-5 封装。6N139-X009T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 60 mA、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5300 Vrms、正向电压（Vf） 1.4 V，采用 SMD-8 封装。HCPL-0710-060E
Broadcom / Avago · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 10 mA、数据速率 12.5 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 10 mA，采用 SOIC-8 封装。TLP104(E)
Toshiba · 封装：$0.496
主要参数包括正向电压（Vf） 1.61 V、正向电流（If） 10 mA、单件重量 0.002822 oz，采用 $0.496 封装。6N137A-X001
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.35 V。SFH6345-X019T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、正向电压（Vf） 1.33 V、正向电流（If） 16 mA，采用 SMD-8 封装。6N139-X007T
Vishay Semiconductors
主要参数包括数据速率 100 kb/s、正向电压（Vf） 1.4 V、正向电流（If） 1.6 mA。TLP759(D4,J,F)
Toshiba · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.65 V，采用 DIP-8 封装。SFH6136-X001
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 16 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 PDIP-8 封装。FODM452V
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MFP-5
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 MFP-5 封装。TLP2309(E)
Toshiba · 封装：SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V, 5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.55 V、正向电流（If） 10 mA，采用 SO-6 封装。TLP2366(TPL,E
Toshiba · 封装：SOP-5
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 20 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.61 V、正向电流（If） 10 mA，采用 SOP-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。