HCPL0601R2V
ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOIC-8 Wide
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.75 V,采用 SOIC-8 Wide 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOIC-8 Wide
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.75 V,采用 SOIC-8 Wide 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 15 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SOIC-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.43 V、正向电流(If) 10 mA、耗散功率(Pd) 295 mW、最小工作温度 - 40 C。ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.43 V、正向电流(If) 10 mA、耗散功率(Pd) 295 mW、最小工作温度 - 40 C。ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.43 V、正向电流(If) 10 mA、耗散功率(Pd) 295 mW、最小工作温度 - 40 C。Vishay Semiconductors · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.33 V,采用 SMD-8 封装。Vishay Semiconductors · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.33 V,采用 SMD-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 PDIP-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8 Wide
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7~5.5 V、输出电流 10 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 5000 Vrms,采用 SOIC-8 Wide 封装。Vishay Semiconductors · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Drain、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V,采用 SMD-8 封装。Vishay Semiconductors · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.33 V、正向电流(If) 16 mA,采用 SMD-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括数据速率 1 Mb/s、正向电压(Vf) 1.45 V、正向电流(If) 16 mA、单件重量 0.025397 oz。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.3 V,采用 DIP-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SSO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V、正向电流(If) 16 mA,采用 SSO-6 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:DIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V,采用 DIP-8 Gull Wing 封装。ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括数据速率 1 Mb/s、正向电压(Vf) 1.5 V、正向电流(If) 16 mA、单件重量 0.031429 oz。Renesas Electronics · 封装:SSOP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 25 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 2500 Vrms、正向电压(Vf) 1.65 V,采用 SSOP-8 封装。Vishay Semiconductors · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5~5.5 V、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 5300 Vrms,采用 SMD-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3~5.5 V、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms,采用 SMD-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、正向电压(Vf) 1.45 V,采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。