6N137VM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5～5.5 V、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 2500 Vrms，采用 DIP-8 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录HCNW137-000E
Broadcom / Avago · 封装：PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-8 封装。HCPL4503SM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.45 V，采用 SMD-DIP-8 封装。VO2611
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5300 Vrms、正向电压（Vf） 1.4 V，采用 PDIP-8 封装。6N136-X009
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、正向电压（Vf） 1.33 V，采用 SMD-8 封装。TLP116A(E)
Toshiba · 封装：SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、数据速率 20 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.58 V，采用 SO-6 封装。SFH6345-X007T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、正向电压（Vf） 1.33 V、正向电流（If） 16 mA，采用 SMD-8 封装。6N136TVM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.45 V、正向电流（If） 16 mA，采用 SMDIP-8 封装。HCPL0500R2
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.45 V，采用 SOIC-8 Narrow 封装。SFH6136-X017T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 16 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 SMD-8 封装。TLP2530(F)
Toshiba · 封装：PDIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 12 V、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 2500 Vrms，采用 PDIP-8 封装。6N137A-X007T
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.35 V。HCPL-4503-520E
Broadcom / Avago · 封装：PDIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。VO0601T
Vishay Semiconductors · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 4000 Vrms、正向电压（Vf） 1.4 V，采用 SOIC-8 封装。FOD3182TSV
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.43 V、正向电流（If） 10 mA、耗散功率（Pd） 295 mW、最小工作温度 - 40 C。ACSL-6300-00TE
Broadcom / Avago · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 3 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 15 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.52 V，采用 SOIC-Narrow-16 封装。CPC5001G
IXYS Integrated Circuits · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、数据速率 5 Mb/s、隔离电压 3750 Vrms、耗散功率（Pd） 800 mW、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 DIP-8 封装。VO0611T
Vishay Semiconductors · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 4000 Vrms、正向电压（Vf） 1.4 V，采用 SOIC-8 封装。HCPL2530SD
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.45 V，采用 SMD-8 封装。PS9113-AX
Renesas Electronics · 封装：SOP-5
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 15 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.65 V，采用 SOP-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。