HCNW4503-500E
Broadcom / Avago · 封装：CDIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.68 V，采用 CDIP-8 Gull Wing 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录TLP2367(TPR,E
Toshiba · 封装：SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 10 mA、数据速率 50 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 SO-6 封装。6N137TSVM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMT-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5～5.5 V、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 2500 Vrms，采用 SMT-8 封装。SFH6319T
Vishay Semiconductors · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 60 mA、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 4000 Vrms、正向电压（Vf） 1.4 V，采用 SOIC-8 封装。TLP719(F)
Toshiba · 封装：SDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 5000 Vrms，采用 SDIP-6 封装。HCPL-2601-300E
Broadcom / Avago · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 DIP-8 封装。6N136SDM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.45 V、正向电流（If） 16 mA，采用 SMD-8 封装。HCPL-2232-500E
Broadcom / Avago · 封装：PDIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 25 mA、数据速率 5 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。TLP2531(F)
Toshiba · 封装：PDIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 12 V、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 2500 Vrms，采用 PDIP-8 封装。FOD0710R2
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 10 mA、数据速率 12.5 Mb/s、输出类型 Push-Pull、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 10 mA，采用 SOIC-8 封装。ACNT-H61L-000E
Broadcom / Avago · 封装：SO-Stretched-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 10 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 7500 Vrms、正向电压（Vf） 1.38 V，采用 SO-Stretched-8 封装。HCPL-M601-000E
Broadcom / Avago · 封装：SO-5
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.75 V，采用 SO-5 封装。6N136SM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.45 V、正向电流（If） 16 mA，采用 SMD-8 封装。HCPL-M600-000E
Broadcom / Avago · 封装：SOIC-5
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.75 V，采用 SOIC-5 封装。HCPL2611S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.4 V，采用 SMD-DIP-8 封装。HCPL-4562-000E
Broadcom / Avago · 封装：PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.3 V、正向电流（If） 12 mA，采用 PDIP-8 封装。6N137-X009T
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.35 V。6N136-X007
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、正向电压（Vf） 1.33 V，采用 SMD-8 封装。HCNW137-500E
Broadcom / Avago · 封装：PDIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。SFH6326
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、正向电压（Vf） 1.33 V，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。