FODM8061
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SO-5
主要参数包括数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.45 V、正向电流（If） 10 mA、反向电压（Vr） 5 V，采用 SO-5 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录FODM611
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SO-5
主要参数包括数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、反向电压（Vr） 5 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 40 C，采用 SO-5 封装。6N136M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.45 V、正向电流（If） 16 mA，采用 DIP-8 封装。6N138M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.3 V、正向电流（If） 1.6 mA，采用 DIP-8 封装。TLP557(F)
Toshiba · 封装：PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Push-Pull、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.55 V、正向电流（If） 5 mA、反向电压（Vr） 5 V，采用 PDIP-8 封装。6N139M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.3 V、正向电流（If） 1.6 mA，采用 DIP-8 封装。HCPL2601S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.4 V，采用 SMD-DIP-8 封装。TLP2361(V4,E
Toshiba · 封装：SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 10 mA、数据速率 15 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 SO-6 封装。HCPL-5531
Broadcom / Avago · 封装：CDIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 400 kb/s、输出类型 Phototransistor、正向电压（Vf） 1.55 V、正向电流（If） 20 mA，采用 CDIP-8 封装。HCPL-0721-000E
Broadcom / Avago · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 10 mA、数据速率 25 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 5 V，采用 SOIC-8 封装。H11N1M
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 5 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 5300 Vrms、正向电压（Vf） 1.4 V，采用 PDIP-6 封装。PS9821-2-F3-AX
Renesas Electronics · 封装：SSOP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 25 mA、数据速率 15 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.65 V，采用 SSOP-8 封装。VO0600T
Vishay Semiconductors · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 4000 Vrms、正向电压（Vf） 1.4 V，采用 SOIC-8 封装。TLP2362(E)
Toshiba
主要参数包括数据速率 10 Mb/s、正向电压（Vf） 1.55 V、正向电流（If） 10 mA、单件重量 0.002822 oz。HCPL2601SD
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.4 V，采用 SMD-8 封装。HCPL2531S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MDIP-8L
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.45 V，采用 MDIP-8L 封装。HCNW136-300E
Broadcom / Avago · 封装：PDIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.68 V，采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。HCPL2731SD
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 60 mA、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.3 V，采用 SMD-8 Gull Wing 封装。6N138SM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.3 V、正向电流（If） 1.6 mA，采用 SMD-8 封装。FOD3182S
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括正向电压（Vf） 1.43 V、正向电流（If） 10 mA、耗散功率（Pd） 250 mW、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 100 C、下降时间 24 ns，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。