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ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 200 uA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.45 V,采用 SMD-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 200 uA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.45 V,采用 SMD-8 封装。Vishay Semiconductors · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 60 mA、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V,采用 SMD-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V,采用 PDIP-8 封装。Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 60 mA、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V,采用 PDIP-8 封装。Vishay Semiconductors · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 60 mA、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V,采用 SMD-8 封装。Vishay Semiconductors · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.33 V,采用 SMD-8 封装。Vishay Semiconductors · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 16 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 SMD-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、正向电压(Vf) 1.45 V,采用 SOIC-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 15 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.75 V,采用 SOIC-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 2500 Vrms、正向电压(Vf) 1.75 V、正向电流(If) 50 mA,采用 SOIC-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.75 V,采用 SOIC-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 60 mA、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 2500 Vrms、正向电压(Vf) 1.3 V,采用 PDIP-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMD-DIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V,采用 SMD-DIP-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:DIP-8
主要参数包括工作电源电压 10~30 V、正向电压(Vf) 1.43 V、正向电流(If) 10 mA、耗散功率(Pd) 295 mW、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 100 C,采用 DIP-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V,采用 PDIP-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V,采用 PDIP-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V,采用 PDIP-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、正向电压(Vf) 1.45 V,采用 PDIP-8 封装。Vishay Semiconductors · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V,采用 PDIP-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOIC-8 Narrow
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 60 mA、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 2500 Vrms、正向电压(Vf) 1.25 V,采用 SOIC-8 Narrow 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。