HCPL-0314-500E
Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V、正向电流(If) 10 mA、反向电压(Vr) 5 V,采用 SOIC-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V、正向电流(If) 10 mA、反向电压(Vr) 5 V,采用 SOIC-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SO-6 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SOIC-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:PDIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 25 mA、数据速率 5 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。Broadcom / Avago · 封装:PDIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.59 V,采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 10 mA、数据速率 25 Mb/s、输出类型 Push-Pull、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 10 mA,采用 SOIC-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:PDIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 25 mA、数据速率 5 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。Broadcom / Avago · 封装:PDIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 60 mA、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.45 V,采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 15 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.75 V,采用 SOIC-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:PDIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMD-DIP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 5 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V,采用 SMD-DIP-6 封装。Broadcom / Avago
主要参数包括正向电压(Vf) 1.5 V、正向电流(If) 4 mA、认证等级 AEC-Q100。Broadcom / Avago · 封装:PDIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOIC-8 Narrow
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 60 mA、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 2500 Vrms、正向电压(Vf) 1.35 V,采用 SOIC-8 Narrow 封装。Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.64 V,采用 SO-6 封装。Broadcom / Avago · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 PDIP-8 封装。Renesas Electronics
主要参数包括数据速率 15 Mb/s、输出类型 Photo IC、正向电压(Vf) 1.65 V、正向电流(If) 10 mA、单件重量 0.002926 oz。Broadcom / Avago · 封装:SO-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SO-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-5
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V、正向电流(If) 10 mA,采用 SOIC-5 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。