ACPL-M21L-000E
Broadcom / Avago · 封装:SO-5
主要参数包括输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V、正向电流(If) 2.2 mA、反向电压(Vr) 5 V、最小工作温度 - 40 C,采用 SO-5 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Broadcom / Avago · 封装:SO-5
主要参数包括输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V、正向电流(If) 2.2 mA、反向电压(Vr) 5 V、最小工作温度 - 40 C,采用 SO-5 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-5
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7~5.5 V、输出电流 10 mA、数据速率 5 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms,采用 SO-5 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V、正向电流(If) 10 mA、反向电压(Vr) 5 V,采用 SOIC-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 PDIP-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SOIC-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V、正向电流(If) 1.6 mA,采用 SOIC-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 60 mA、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V,采用 SOIC-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SOIC-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 PDIP-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-5
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V、正向电流(If) 3 mA,采用 SO-5 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SOIC-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SOIC-8 封装。Toshiba · 封装:SOIC-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、数据速率 20 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.61 V,采用 SOIC-6 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SOIC-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SOIC-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-5
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 16 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Open Collector、正向电压(Vf) 1.5 V、正向电流(If) 3 mA,采用 SO-5 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SO-8
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 3~5.5 V、数据速率 15 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、耗散功率(Pd) 60 mW,采用 SO-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOIC-8 Narrow
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 60 mA、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 2500 Vrms、正向电压(Vf) 1.35 V,采用 SOIC-8 Narrow 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.75 V、正向电流(If) 50 mA,采用 SOIC-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V,采用 SMD-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。