ACPL-W61L-500E
Broadcom / Avago · 封装：SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 10 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Totem Pole、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.3 V，采用 SO-6 封装。隔离与光耦
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
14,738 条型号记录PS9121-AX
Renesas Electronics · 封装：SO-5
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 25 mA、数据速率 15 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.65 V，采用 SO-5 封装。ACPL-C61L-000E
Broadcom / Avago · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7～5.5 V、输出电流 10 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 5000 Vrms，采用 SOIC-8 封装。HCPL-2730-000E
Broadcom / Avago · 封装：PDIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 60 mA、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.4 V，采用 PDIP-8 封装。PS9817A-1-F3-AX
Renesas Electronics · 封装：SSOP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 25 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.65 V，采用 SSOP-8 封装。HCPL-2531-020E
Broadcom / Avago · 封装：PDIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 PDIP-8 封装。ACPL-M72U-000E
Broadcom / Avago · 封装：SOIC-5
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.5 V、正向电流（If） 10 mA，采用 SOIC-5 封装。ACPL-K49U-000E
Broadcom / Avago · 封装：SO-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.5 V、正向电流（If） 4 mA，采用 SO-8 封装。HCPL0701V
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 60 mA、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.25 V，采用 SOIC-8 Narrow 封装。ACPL-P611-000E
Broadcom / Avago · 封装：SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.5 V，采用 SO-6 封装。HCPL-M701-000E
Broadcom / Avago · 封装：SOIC-5
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 60 mA、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 3750 Vrms、正向电压（Vf） 1.4 V，采用 SOIC-5 封装。ACPL-K44T-000E
Broadcom / Avago · 封装：SO-8
主要参数包括通道数 2 个通道、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.5 V、正向电流（If） 10 mA，采用 SO-8 封装。FODM8071
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SO-5
主要参数包括数据速率 20 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、反向电压（Vr） 5 V、耗散功率（Pd） 40 mW、最小工作温度 - 40 C，采用 SO-5 封装。FODM8071R2
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SO-5
主要参数包括数据速率 20 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、反向电压（Vr） 5 V、耗散功率（Pd） 40 mW、最小工作温度 - 40 C，采用 SO-5 封装。SFH6316T
Vishay Semiconductors · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 4000 Vrms、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 SOIC-8 封装。SFH6345
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、正向电压（Vf） 1.33 V，采用 PDIP-8 封装。HCPL2531
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.45 V，采用 PDIP-8 封装。HCPL2601
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.4 V，采用 PDIP-8 封装。6N139
Vishay Semiconductors · 封装：PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 60 mA、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5300 Vrms、正向电压（Vf） 1.4 V，采用 PDIP-8 封装。HCPL0453
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、正向电压（Vf） 1.45 V，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。