HCPL-M454-500E
Broadcom / Avago · 封装:SOIC-5
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SOIC-5 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Broadcom / Avago · 封装:SOIC-5
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SOIC-5 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMD-DIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V,采用 SMD-DIP-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、正向电压(Vf) 1.45 V,采用 SOIC-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOIC-8 Narrow
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 60 mA、数据速率 100 kb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 2500 Vrms、正向电压(Vf) 1.35 V,采用 SOIC-8 Narrow 封装。Vishay Semiconductors
主要参数包括输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V、正向电流(If) 10 mA、反向电压(Vr) 5 V。Broadcom / Avago · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.8 V、正向电流(If) 16 mA、反向电压(Vr) 5 V,采用 PDIP-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-5
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SO-5 封装。Broadcom / Avago · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 PDIP-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:PDIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 PDIP-8 封装。Vishay Semiconductors · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.33 V、正向电流(If) 16 mA,采用 SMD-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOIC-8 Wide
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V,采用 SOIC-8 Wide 封装。ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 16 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.45 V。Broadcom / Avago · 封装:PDIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SOIC-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.52 V,采用 SOIC-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 10 mA、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V、正向电流(If) 2.2 mA、反向电压(Vr) 11 V,采用 SO-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:PDIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 PDIP-8 Gull Wing 封装。Vishay Semiconductors · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.33 V、正向电流(If) 16 mA,采用 SMD-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-5
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SO-5 封装。Vishay Semiconductors · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5300 Vrms、正向电压(Vf) 1.33 V、正向电流(If) 16 mA,采用 SMD-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。