TLP2719(D4-LF4,E
Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 2.4 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 SO-6 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 2.4 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 SO-6 封装。Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 2.4 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 SO-6 封装。Toshiba · 封装:SO-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 3.2 mA、数据速率 20 Mb/s、输出类型 Totem Pole、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SO-8 封装。Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 2.4 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 SO-6 封装。Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 2.4 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 SO-6 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-12
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 10 mA、数据速率 15 Mb/s、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V、正向电流(If) 20 mA,采用 SO-12 封装。Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 2.4 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 SO-6 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-Stretched-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3~24 V、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 1500 Vrms、耗散功率(Pd) 100 mW,采用 SO-Stretched-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMT-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 25 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector, Buffer、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.45 V,采用 SMT-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-Stretched-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3~24 V、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 1500 Vrms,采用 SO-Stretched-8 封装。Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 10 mA、数据速率 50 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 SO-6 封装。Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5~30 V、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Totem Pole, Inverter、隔离电压 5000 Vrms,采用 SO-6 封装。Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 50 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Totem Pole, Buffer、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.55 V,采用 SO-6 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-12
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 10 mA、数据速率 15 Mb/s、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V、正向电流(If) 20 mA,采用 SO-12 封装。Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 10 mA、数据速率 50 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 SO-6 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-12
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.55 V、正向电流(If) 20 mA,采用 SO-12 封装。Broadcom / Avago · 封装:SO-12
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 10 mA、数据速率 15 Mb/s、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V、正向电流(If) 20 mA,采用 SO-12 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:MDIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.45 V、正向电流(If) 10 mA,采用 MDIP-8 封装。Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 3 mA、数据速率 20 Mb/s、输出类型 Totem Pole、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V,采用 SO-6 封装。Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 3 mA、数据速率 20 Mb/s、输出类型 Totem Pole、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.4 V,采用 SO-6 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。