HCPL2530SDM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、正向电压(Vf) 1.45 V,采用 SMD-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、正向电压(Vf) 1.45 V,采用 SMD-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:MDIP-8L
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5~20 V、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms,采用 MDIP-8L 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMD-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 60 mA、数据速率 100 kb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.3 V,采用 SMD-8 Gull Wing 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:MDIP-8L
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5~20 V、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms,采用 MDIP-8L 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 8 mA、数据速率 1 Mb/s、输出类型 Phototransistor、隔离电压 2500 Vrms、正向电压(Vf) 1.45 V,采用 SMD-8 封装。Toshiba
主要参数包括数据速率 15 Mb/s。Toshiba
主要参数包括正向电压(Vf) 1.64 V、正向电流(If) 16 mA。Toshiba
主要参数包括正向电压(Vf) 1.61 V、正向电流(If) 10 mA。Toshiba · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.7 V、正向电流(If) 20 mA,采用 DIP-8 封装。Toshiba
主要参数包括正向电压(Vf) 1.61 V、正向电流(If) 10 mA。ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 2 个通道、数据速率 100 kb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 2500 Vrms、正向电压(Vf) 1.3 V、最小工作温度 - 40 C。Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 10 mA、数据速率 50 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.6 V,采用 SO-6 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、输出电流 25 mA、数据速率 10 Mb/s、输出类型 Open Collector, Buffer、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.45 V,采用 DIP-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括数据速率 10 Mb/s、单件重量 0.031429 oz。Renesas Electronics
High Speed Optocouplers OPTO HI-SPD OPTCPLR 8PIN LSDIPToshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 10 mA、数据速率 20 Mb/s、输出类型 Totem Pole、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SO-6 封装。Toshiba
主要参数包括数据速率 20 Mb/s、正向电压(Vf) 1.55 V、正向电流(If) 10 mA、单件重量 0.002822 oz。Toshiba
主要参数包括正向电压(Vf) 1.5 V、正向电流(If) 2 mA。Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 10 mA、数据速率 20 Mb/s、输出类型 Totem Pole、隔离电压 5000 Vrms、正向电压(Vf) 1.5 V,采用 SO-6 封装。Toshiba · 封装:SO-6
主要参数包括通道数 1 个通道、数据速率 20 Mb/s、输出类型 Open Collector、隔离电压 5000 Vrms、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C,采用 SO-6 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。