LOC111P
IXYS Integrated Circuits · 封装:Flatpack-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.2 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 Flatpack-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
IXYS Integrated Circuits · 封装:Flatpack-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.2 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 Flatpack-8 封装。IXYS Integrated Circuits · 封装:Flatpack-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.2 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 Flatpack-8 封装。IXYS Integrated Circuits · 封装:SO-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.2 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 SO-8 封装。IXYS Integrated Circuits · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.2 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 DIP-8 封装。IXYS Integrated Circuits · 封装:SO-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.2 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 SO-8 封装。IXYS Integrated Circuits · 封装:SO-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.2 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 SO-8 封装。IXYS Integrated Circuits · 封装:Flatpack-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.2 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 Flatpack-8 封装。IXYS Integrated Circuits · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.2 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 SOIC-16 封装。IXYS Integrated Circuits · 封装:SO-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.2 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 SO-8 封装。IXYS Integrated Circuits · 封装:SO-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.2 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 SO-8 封装。Vishay Semiconductors · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 PIN Photodiode、隔离电压 5300 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.25 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 DIP-8 封装。Broadcom / Avago · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodiode、隔离电压 1414 Vrms、正向电流(If) 20 mA、正向电压(Vf) 1.6 V、反向电压(Vr) 2.5 V,采用 DIP-8 封装。Vishay Semiconductors · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 PIN Photodiode、隔离电压 5300 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.25 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 SMD-8 封装。Vishay Semiconductors · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 PIN Photodiode、隔离电压 5300 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.25 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 SMD-8 封装。IXYS Integrated Circuits · 封装:SO-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.2 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 SO-8 封装。Vishay Semiconductors · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 PIN Photodiode、隔离电压 5300 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.25 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 DIP-8 封装。Vishay Semiconductors · 封装:SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 PIN Photodiode、隔离电压 5300 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.25 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 SMD-8 封装。IXYS Integrated Circuits · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.2 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 SOIC-16 封装。Vishay Semiconductors · 封装:DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 PIN Photodiode、隔离电压 5300 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.25 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 DIP-8 封装。IXYS Integrated Circuits · 封装:Flatpack-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 1.2 V、反向电压(Vr) 5 V,采用 Flatpack-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。