UCC21542DWKR
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、输出电压 11.95 V、输出电流 6 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-14 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录MP18871-A4BGLU-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：LGA-13
主要参数包括输出电流 4 A、类型 Half-Bridge、隔离电压 2500 Vrms、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率（Pd） 1.175 W，采用 LGA-13 封装。MP18871-A4BGLU-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：LGA-13
主要参数包括输出电流 4 A、类型 Half-Bridge、隔离电压 2500 Vrms、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、耗散功率（Pd） 1.175 W，采用 LGA-13 封装。HCNR201-500E
Broadcom / Avago · 封装：DIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodiode、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 20 mA、正向电压（Vf） 1.6 V、反向电压（Vr） 2.5 V，采用 DIP-8 Gull Wing 封装。HCNR200-550E
Broadcom / Avago · 封装：DIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodiode、隔离电压 1414 Vrms、正向电流（If） 20 mA、正向电压（Vf） 1.6 V、反向电压（Vr） 2.5 V，采用 DIP-8 Gull Wing 封装。HCNR200-050E
Broadcom / Avago · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodiode、隔离电压 1414 Vrms、正向电流（If） 20 mA、正向电压（Vf） 1.6 V、反向电压（Vr） 2.5 V，采用 DIP-8 封装。IL300-DEFG-X016
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 PIN Photodiode、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.25 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-8 封装。IL300-DEFG-X017
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 PIN Photodiode、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.25 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-8 封装。LOC110STR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SO-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.2 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SO-8 封装。LOC110
IXYS Integrated Circuits · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.2 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-8 封装。HCNR201-300E
Broadcom / Avago · 封装：DIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodiode、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 20 mA、正向电压（Vf） 1.6 V、反向电压（Vr） 2.5 V，采用 DIP-8 Gull Wing 封装。IL300-DEFG
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 PIN Photodiode、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.25 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-8 封装。HCNR201-000E
Broadcom / Avago · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodiode、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 20 mA、正向电压（Vf） 1.6 V、反向电压（Vr） 2.5 V，采用 DIP-8 封装。IL300
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 PIN Photodiode、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.25 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 DIP-8 封装。HCNR200-500E
Broadcom / Avago · 封装：DIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodiode、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 20 mA、正向电压（Vf） 1.6 V、反向电压（Vr） 2.5 V，采用 DIP-8 Gull Wing 封装。HCNR200-000E
Broadcom / Avago · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodiode、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 20 mA、正向电压（Vf） 1.6 V、反向电压（Vr） 2.5 V，采用 DIP-8 封装。HCNR200-300E
Broadcom / Avago · 封装：DIP-8 Gull Wing
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodiode、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 20 mA、正向电压（Vf） 1.6 V、反向电压（Vr） 2.5 V，采用 DIP-8 Gull Wing 封装。IL300-F-X007
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 PIN Photodiode、隔离电压 5300 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.25 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 SMD-8 封装。HCNR201-050E
Broadcom / Avago · 封装：DIP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodiode、隔离电压 1414 Vrms、正向电流（If） 20 mA、正向电压（Vf） 1.6 V、反向电压（Vr） 2.5 V，采用 DIP-8 封装。LOC111PTR
IXYS Integrated Circuits · 封装：Flatpack-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 10 mA、正向电压（Vf） 1.2 V、反向电压（Vr） 5 V，采用 Flatpack-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。