MGD3100BM58EKR2
NXP Semiconductors · 封装：WSOIC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 5 V、技术 碳化硅（SiC）、类型 Single Channel Gate Driver、最小工作温度 - 40 C，采用 WSOIC-32 封装。隔离与光耦
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型号列表
14,738 条型号记录SC900631BEK
NXP Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是、型号别名 935443693574。MGD3162AM550EKR2
NXP Semiconductors · 封装：SOIC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 4.75 V、技术 碳化硅（SiC）、类型 IGBT/SiC Gate Driver、隔离电压 8 kVrms，采用 SOIC-32 封装。MGD3162AM550EKT
NXP Semiconductors · 封装：SOIC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 4.75 V、类型 IGBT/SiC Gate Driver、隔离电压 8 kVrms、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-32 封装。MGD3162AM551EKR2
NXP Semiconductors · 封装：SOIC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 4.75 V、技术 碳化硅（SiC）、类型 IGBT/SiC Gate Driver、隔离电压 8 kVrms，采用 SOIC-32 封装。MGD3162AM551EKT
NXP Semiconductors · 封装：SOIC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 4.75 V、类型 IGBT/SiC Gate Driver、隔离电压 8 kVrms、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-32 封装。MGD3162AM580EKR2
NXP Semiconductors · 封装：SOIC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电压 25 V、类型 IGBT/SiC Gate Driver、隔离电压 8 kVrms、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOIC-32 封装。MGD3162AM580EKT
NXP Semiconductors · 封装：SOIC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电压 25 V、类型 IGBT/SiC Gate Driver、隔离电压 8 kVrms、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOIC-32 封装。MGD3162AM581EKR2
NXP Semiconductors · 封装：SOIC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电压 25 V、类型 IGBT/SiC Gate Driver、隔离电压 8 kVrms、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOIC-32 封装。MGD3162AM581EKT
NXP Semiconductors · 封装：SOIC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电压 25 V、类型 IGBT/SiC Gate Driver、隔离电压 8 kVrms、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOIC-32 封装。SC900633BEKR2
NXP Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是、型号别名 935443691518。BM61M22BFJ-CE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Gate Driver，采用 SOP-8 封装。BM6GD11BFJ-LBE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-JW8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、输出电压 4.5～6 V、类型 Galvanic Isolation Gate Driver、隔离电压 2500 Vrms，采用 SOP-JW8 封装。SI8233AB-D-IMR
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：LGA-14
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 6.5 V、输出电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si，采用 LGA-14 封装。SI8274GB1-IS1
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 4.2 V、输出电压 3 V、输出电流 4 mA、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。SI8233BB-D-IS1
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 6.5 V、输出电压 8 V、输出电流 4 A、技术 Si，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8233BB-D-IS
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 6.5 V、输出电压 8 V、输出电流 4 A、技术 Si，采用 SOIC-Wide-16 封装。SI8271GB-ISR
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 4.2 V、输出电压 3 V、输出电流 4 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。SI8271GBD-IS
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 4.2 V、输出电压 3 V、输出电流 4 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。SI8233BD-D-ISR
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 6.5 V、输出电压 8 V、输出电流 4 A、技术 Si，采用 SOIC-Wide-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。