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隔离与光耦

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型号列表

14,738 条型号记录
每页 20 条

SI8610BC-B-IS

Silicon Labs · 封装:SOIC-8

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、输出电流 10 mA、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。

SI8641AB-B-IS

Silicon Labs · 封装:SOIC-16

主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。

SI8422BB-D-IS

Silicon Labs · 封装:SOIC-8

主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.6 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose,采用 SOIC-8 封装。

ISO7221ADR

Texas Instruments · 封装:SOIC-8

主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、工作电源电压 3.3~5 V,采用 SOIC-8 封装。

ISO7421DR

Texas Instruments · 封装:SOIC-8

主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V,采用 SOIC-8 封装。

ISO7220CDR

Texas Instruments · 封装:SOIC-8

主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 2.8 V、工作电源电压 2.8~5 V,采用 SOIC-8 封装。

ADUM3201ARZ

Analog Devices · 封装:SOIC-8

主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-8 封装。

ISO7221AD

Texas Instruments · 封装:SOIC-8

主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、工作电源电压 3.3~5 V,采用 SOIC-8 封装。

SI8641BB-B-IS

Silicon Labs · 封装:SOIC-16

主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。

SI8642AB-B-IS1

Silicon Labs · 封装:SOIC-16

主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。

SI8641AB-B-IS1

Silicon Labs · 封装:SOIC-16

主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。

ISO7220ADR

Texas Instruments · 封装:SOIC-8

主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、工作电源电压 3.3~5 V,采用 SOIC-8 封装。

SI8631BB-B-IS1

Silicon Labs · 封装:SOIC-16

主要参数包括通道数 3 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose,采用 SOIC-16 封装。

MAX14933ASE+

Maxim Integrated · 封装:SOIC-16

主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 3.4 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、极性 Bidirectional,采用 SOIC-16 封装。

SI8640BB-B-IS1

Silicon Labs · 封装:SOIC-16

主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。

SI8642BB-B-IS1

Silicon Labs · 封装:SOIC-16

主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。

SI8641BB-B-IS1

Silicon Labs · 封装:SOIC-16

主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。

SI8621BC-B-IS

Silicon Labs · 封装:SOIC-8

主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V,采用 SOIC-8 封装。

SI8622EC-B-IS

Silicon Labs · 封装:SOIC-8

主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V,采用 SOIC-8 封装。

SI8641ED-B-IS

Silicon Labs · 封装:SOIC-16

主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、工作电源电压 2.5~5.5 V,采用 SOIC-16 封装。

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