SI8610BC-B-IS
Silicon Labs · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、输出电流 10 mA、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Silicon Labs · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、输出电流 10 mA、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.6 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、工作电源电压 3.3~5 V,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 2.8 V、工作电源电压 2.8~5 V,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、工作电源电压 3.3~5 V,采用 SOIC-8 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、工作电源电压 3.3~5 V,采用 SOIC-8 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose,采用 SOIC-16 封装。Maxim Integrated · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 3.4 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、极性 Bidirectional,采用 SOIC-16 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V,采用 SOIC-8 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V,采用 SOIC-8 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、工作电源电压 2.5~5.5 V,采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。