V62/08627-01XE
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3.3 V、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-8 封装。隔离与光耦
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
14,738 条型号记录V62/10606-01XE
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3.3 V、数据速率 1 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。V62/16605-01XE
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、极性 Unidirectional、隔离电压 2500 Vrms、最小工作温度 - 55 C，采用 SOIC-8 封装。V62/21610-01XE
Texas Instruments · 封装：SSOP-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 100 Mb/s，采用 SSOP-16 封装。ISO6721RFBDR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 50 Mb/s、极性 Bidirectional、工作电源电流 6 mA，采用 SOIC-8 封装。ISO6740FQDWRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 50 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-16 封装。ISO6721RFBDRG4
Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。ISO6721RFBQDRQ1
Texas Instruments
主要参数包括组装国家或地区 马来西亚、晶圆制造国家或地区 美国、原产国家或地区 美国、湿敏性 是。ISO6731DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 50 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。ISO6731FDWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 50 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。ISO6731FQDWRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 50 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。ISO6731QDWRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 50 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。ISO6740DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 50 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-16 封装。ISO6740FDWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 50 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。ISO6740QDWRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 50 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-16 封装。ISO6742QDWRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 50 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。ISO6741DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 50 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、极性 Unidirectional，采用 SOIC-16 封装。ISO6741FDWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 50 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling、极性 Unidirectional，采用 SOIC-16 封装。ISO6741FQDWRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 50 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。ISO6741QDWRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 50 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。