ISO1I811TXUMA1
Infineon Technologies · 封装:TSSOP-48
主要参数包括通道数 8 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.85 V、隔离类型 Magnetic Coupling、隔离电压 500 Vrms、传播延迟时间 40 us,采用 TSSOP-48 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Infineon Technologies · 封装:TSSOP-48
主要参数包括通道数 8 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.85 V、隔离类型 Magnetic Coupling、隔离电压 500 Vrms、传播延迟时间 40 us,采用 TSSOP-48 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5 V、数据速率 90 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5 V、数据速率 10 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V,采用 SOIC-8 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose,采用 SOIC-16 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-Wide-16
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、认证等级 AEC-Q100、产品 Digital Isolators、湿敏性 是、单件重量 0.019313 oz,采用 SOIC-Wide-16 封装。Silicon Labs
主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、产品 Digital Isolators、湿敏性 是。Silicon Labs · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 150 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、工作电源电压 3~5.5 V,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3.15 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V,采用 SOIC-16 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 3 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、工作电源电压 3.3~5 V,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 100 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、工作电源电压 3.3~5 V,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、工作电源电压 3.3~5 V,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、数据速率 10 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 25 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 25 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。