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隔离与光耦

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14,738 条型号记录
每页 20 条

SI86S663EC-AS1

Skyworks Solutions, Inc. · 封装:SOIC-NB-16

主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、原产国家或地区 中国台湾,采用 SOIC-NB-16 封装。

SI86S663EB-IUR

Skyworks Solutions, Inc. · 封装:QSOP-16

主要参数包括通道数 6 个通道、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose、极性 Unidirectional、隔离电压 2500 Vrms、原产国家或地区 中国台湾,采用 QSOP-16 封装。

SI86S663EB-IU

Skyworks Solutions, Inc. · 封装:QSOP-16

主要参数包括通道数 6 个通道、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose、极性 Unidirectional、隔离电压 2500 Vrms、原产国家或地区 中国台湾,采用 QSOP-16 封装。

SI86S663EB-AUR

Skyworks Solutions, Inc. · 封装:QSOP-16

主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是,采用 QSOP-16 封装。

SI86S663EB-AU

Skyworks Solutions, Inc. · 封装:QSOP-16

主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、原产国家或地区 中国台湾,采用 QSOP-16 封装。

SI86S663BE-IS2R

Skyworks Solutions, Inc. · 封装:SOIC-WB-16

主要参数包括通道数 6 个通道、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose、极性 Unidirectional、隔离电压 6000 Vrms、原产国家或地区 中国台湾,采用 SOIC-WB-16 封装。

SI86S663BE-IS2

Skyworks Solutions, Inc. · 封装:SOIC-WB-16

主要参数包括通道数 6 个通道、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose、极性 Unidirectional、隔离电压 6000 Vrms、原产国家或地区 中国台湾,采用 SOIC-WB-16 封装。

SI86S663BE-AS2R

Skyworks Solutions, Inc. · 封装:SOIC-WB-16

主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是,采用 SOIC-WB-16 封装。

SI86S663BE-AS2

Skyworks Solutions, Inc. · 封装:SOIC-WB-16

主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、原产国家或地区 中国台湾,采用 SOIC-WB-16 封装。

SI86S663BC-IS1R

Skyworks Solutions, Inc. · 封装:SOIC-NB-16

主要参数包括通道数 6 个通道、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 General Purpose、极性 Unidirectional、隔离电压 3750 Vrms、原产国家或地区 中国台湾,采用 SOIC-NB-16 封装。

SI86S663BB-AUR

Skyworks Solutions, Inc. · 封装:QSOP-16

主要参数包括隔离类型 Capacitive Coupling、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是,采用 QSOP-16 封装。

STISO620

STMicroelectronics

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。

STISO620TR

STMicroelectronics · 封装:SOIC-8

主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 100 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。

STISO621

STMicroelectronics

主要参数包括数据速率 100 Mb/s、隔离电压 6000 Vrms、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。

STISO621TR

STMicroelectronics · 封装:SO-8

主要参数包括数据速率 100 Mb/s、隔离电压 6000 Vrms、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是,采用 SO-8 封装。

STISO621W

STMicroelectronics

主要参数包括数据速率 100 Mb/s、隔离电压 6000 Vrms、原产国家或地区 IT、湿敏性 是。

STISO621WTR

STMicroelectronics · 封装:SO-W-8

主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 100 Mb/s、隔离类型 Galvanic Isolation、极性 Unidirectional,采用 SO-W-8 封装。

ADN4654BRSZ-RL7

Analog Devices · 封装:SSOP-20

主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 2.625 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 1.25 Gb/s,采用 SSOP-20 封装。

ADN4654BRSZ

Analog Devices · 封装:SSOP-20

主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 2.625 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 1.25 Gb/s,采用 SSOP-20 封装。

ADN4655BRSZ

Analog Devices · 封装:SSOP-20

主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.375 V、数据速率 1.25 Gb/s,采用 SSOP-20 封装。

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