ISSI20R02HXUMA1
Infineon Technologies · 封装：PG-DSO-66-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 3.5 V、电源电压（最小值） 2.85 V、极性 Unidirectional、隔离电压 5700 Vrms、工作电源电流 16 mA，采用 PG-DSO-66-8 封装。隔离与光耦
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14,738 条型号记录ISSI20R11HXUMA1
Infineon Technologies · 封装：PG-DSO-66-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 3.5 V、电源电压（最小值） 2.85 V、极性 Unidirectional、隔离电压 5700 Vrms、工作电源电流 16 mA，采用 PG-DSO-66-8 封装。ISSI30R11HXUMA1
Infineon Technologies · 封装：PG-DSO-33-16
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 3.5 V、电源电压（最小值） 2.85 V、极性 Unidirectional、隔离电压 5700 Vrms、工作电源电流 16 mA，采用 PG-DSO-33-16 封装。ISSI30R12HXUMA1
Infineon Technologies · 封装：PG-DSO-33-16
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 3.5 V、电源电压（最小值） 2.85 V、极性 Unidirectional、隔离电压 5700 Vrms、工作电源电流 16 mA，采用 PG-DSO-33-16 封装。ISO1640QDWRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、类型 I2C Isolators、极性 Bidirectional、隔离电压 1500 Vrms，采用 SOIC-16 封装。ISO1641BDR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 3.4 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、类型 Hot-Swappable I2C Isolator，采用 SOIC-8 封装。ISO1641BDRG4
Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。ISO1641DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 50 Mb/s、类型 Hot Swappable Isolator、极性 Bidirectional，采用 SOIC-16 封装。ISO1642DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 50 Mb/s、类型 Hot-Swappable Bidirectional I2C Isolators、极性 Bidirectional，采用 SOIC-16 封装。ISO1643DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 50 Mb/s、类型 Hot-Swappable Bidirectional I2C Isolators、极性 Bidirectional，采用 SOIC-16 封装。ISO1644DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 50 Mb/s、类型 Hot-Swappable Bidirectional I2C Isolators、极性 Bidirectional，采用 SOIC-16 封装。ISO6163DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、数据速率 50 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。ISO6441DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 150 Mb/s，采用 SOIC-16 封装。ISO6441FDWR
Texas Instruments · 封装：WSOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 150 Mb/s，采用 WSOIC-16 封装。ISO6463DWR
Texas Instruments · 封装：WSOIC-16
主要参数包括通道数 6 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 3 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.25 V、数据速率 150 Mb/s，采用 WSOIC-16 封装。ISO6520DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 50 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-8 封装。ISO6520FDR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 50 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling，采用 SOIC-8 封装。ISO6520FQDRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 1.89 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V, 2.25 V、数据速率 50 Mb/s、隔离类型 Galvanic Isolation、类型 Functional Isolator，采用 SOIC-8 封装。ISO6520FREUR
Texas Instruments · 封装：VSON-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、数据速率 50 Mb/s、类型 Functional Isolator，采用 VSON-8 封装。ISO6520QDRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 1.89 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V, 2.25 V、数据速率 50 Mb/s、隔离类型 Galvanic Isolation、类型 Functional Isolator，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。