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Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:QSOP-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.71 V、数据速率 150 Mb/s,采用 QSOP-16 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:QSOP-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.71 V、数据速率 150 Mb/s,采用 QSOP-16 封装。Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括原产国家或地区 TH。Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括原产国家或地区 TH。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:QSOP-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.71 V、数据速率 1 Mb/s, 25 Mb/s, 150 Mb/s,采用 QSOP-16 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-Narrow-8
主要参数包括通道数 2 个通道、数据速率 25 Mb/s, 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、极性 Bidirectional、隔离电压 3000 Vrms、原产国家或地区 中国台湾,采用 SOIC-Narrow-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-Narrow-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.71 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、极性 Unidirectional,采用 SOIC-Narrow-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.71 V、数据速率 25 Mb/s, 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-Narrow-8
主要参数包括通道数 2 个通道、数据速率 25 Mb/s, 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、极性 Bidirectional、隔离电压 3000 Vrms、原产国家或地区 中国台湾,采用 SOIC-Narrow-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-Narrow-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.71 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、极性 Unidirectional,采用 SOIC-Narrow-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.71 V、数据速率 25 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、极性 Unidirectional,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.71 V、数据速率 25 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.71 V、数据速率 25 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.71 V、数据速率 25 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.71 V、数据速率 25 Mb/s, 150 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.71 V、数据速率 25 Mb/s, 150 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.71 V、数据速率 25 Mb/s, 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.71 V、数据速率 25 Mb/s, 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-Narrow-8
主要参数包括通道数 2 个通道、数据速率 25 Mb/s, 150 Mb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、极性 Unidirectional、隔离电压 3000 Vrms、原产国家或地区 中国台湾,采用 SOIC-Narrow-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-Narrow-8
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.71 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Galvanic Isolation、极性 Unidirectional,采用 SOIC-Narrow-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.71 V、数据速率 25 Mb/s, 150 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。