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隔离与光耦

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DCL541B01(T,E

Toshiba · 封装:SOIC-16

主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 150 Mb/s、类型 High Speed、隔离电压 5000 Vrms,采用 SOIC-16 封装。

DCL541H01(T,E(O

Toshiba · 封装:WSOIC-16

主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling、类型 High Speed,采用 WSOIC-16 封装。

DCL541L01(T,E(O

Toshiba · 封装:WSOIC-16

主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling、类型 High Speed,采用 WSOIC-16 封装。

DCM320D00(AS,EL)

Toshiba · 封装:SOIC-8

主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 50 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。

DCM321C00(AS,EL)

Toshiba · 封装:SOIC-8

主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 50 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。

DCM321D00(AS,EL)

Toshiba · 封装:SOIC-8

主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 50 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。

DCM340C01(AS,EL)

Toshiba · 封装:SOIC-16

主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、数据速率 50 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。

DCM340D01(AS,EL)

Toshiba · 封装:SOIC-16

主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、数据速率 50 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。

DCM340H01(AS,EL)

Toshiba · 封装:SOIC-16

主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、数据速率 50 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。

DCM340L01(AS,EL)

Toshiba · 封装:SOIC-16

主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、数据速率 50 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。

DCM341A01(AS,EL)

Toshiba · 封装:SOIC-16

主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、数据速率 50 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。

DCM341B01(AS,EL)

Toshiba · 封装:SOIC-16

主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、数据速率 50 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。

DCM341H01(AS,EL)

Toshiba · 封装:SOIC-16

主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、数据速率 50 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。

ADM3260ARSZ-RL7

Analog Devices · 封装:SSOP-20

主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling、极性 Bidirectional,采用 SSOP-20 封装。

ADN4620BRIZ

Analog Devices · 封装:SOIC-16

主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 1.9 V, 3.6 V、电源电压(最小值) 1.7 V, 3 V、数据速率 2.5 Gb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、极性 Unidirectional,采用 SOIC-16 封装。

ADN4620BRIZ-RL

Analog Devices · 封装:SOIC-16

主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 1.9 V, 3.6 V、电源电压(最小值) 1.7 V, 3 V、数据速率 2.5 Gb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、极性 Unidirectional,采用 SOIC-16 封装。

ADN4620BRSZ

Analog Devices · 封装:SSOP-20

主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 1.9 V, 3.6 V、电源电压(最小值) 1.7 V, 3 V、数据速率 2.5 Gb/s,采用 SSOP-20 封装。

ADN4620BRSZ-RL

Analog Devices · 封装:SSOP-20

主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 1.9 V, 3.6 V、电源电压(最小值) 1.7 V, 3 V、数据速率 2.5 Gb/s,采用 SSOP-20 封装。

ADN4621BRIZ

Analog Devices · 封装:SOIC-20

主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 1.9 V, 3.6 V、电源电压(最小值) 1.7 V, 3 V、数据速率 2.5 Gb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、极性 Bidirectional,采用 SOIC-20 封装。

ADN4622BRNZ

Analog Devices · 封装:SOIC-28

主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 1.9 V, 3.6 V、电源电压(最小值) 1.7 V, 3 V、数据速率 2.5 Gb/s,采用 SOIC-28 封装。

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