DCL541B01(T,E
Toshiba · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 150 Mb/s、类型 High Speed、隔离电压 5000 Vrms,采用 SOIC-16 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Toshiba · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 150 Mb/s、类型 High Speed、隔离电压 5000 Vrms,采用 SOIC-16 封装。Toshiba · 封装:WSOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling、类型 High Speed,采用 WSOIC-16 封装。Toshiba · 封装:WSOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.25 V、数据速率 150 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling、类型 High Speed,采用 WSOIC-16 封装。Toshiba · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 50 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。Toshiba · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 50 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。Toshiba · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 1 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 50 Mb/s,采用 SOIC-8 封装。Toshiba · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、数据速率 50 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。Toshiba · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、数据速率 50 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。Toshiba · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、数据速率 50 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。Toshiba · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、数据速率 50 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling,采用 SOIC-16 封装。Toshiba · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、数据速率 50 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Toshiba · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、数据速率 50 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Toshiba · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 3 个通道、反向通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、数据速率 50 Mb/s,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SSOP-20
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、数据速率 1 Mb/s、隔离类型 Magnetic Coupling、极性 Bidirectional,采用 SSOP-20 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 1.9 V, 3.6 V、电源电压(最小值) 1.7 V, 3 V、数据速率 2.5 Gb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、极性 Unidirectional,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 1.9 V, 3.6 V、电源电压(最小值) 1.7 V, 3 V、数据速率 2.5 Gb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、极性 Unidirectional,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SSOP-20
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 1.9 V, 3.6 V、电源电压(最小值) 1.7 V, 3 V、数据速率 2.5 Gb/s,采用 SSOP-20 封装。Analog Devices · 封装:SSOP-20
主要参数包括通道数 2 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 0 个通道、电源电压(最大值) 1.9 V, 3.6 V、电源电压(最小值) 1.7 V, 3 V、数据速率 2.5 Gb/s,采用 SSOP-20 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-20
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 1.9 V, 3.6 V、电源电压(最小值) 1.7 V, 3 V、数据速率 2.5 Gb/s、隔离类型 Capacitive Coupling、极性 Bidirectional,采用 SOIC-20 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-28
主要参数包括通道数 4 个通道、正向通道数 2 个通道、反向通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 1.9 V, 3.6 V、电源电压(最小值) 1.7 V, 3 V、数据速率 2.5 Gb/s,采用 SOIC-28 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。